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马焕; 王康平; 杨旭; 甘永梅;
中国电工技术学会电力电子学会;
谐振变换器; 电路拓扑; 优化设计; 氮化镓器件;
机译:超薄屏障AlGaN / GaN异质结构:用于制造和整合GaN的功率器件和动力驱动电路的无凹陷技术
机译:部署GaN功率器件和GaN集成电路
机译:基于GaN器件的LLC,双有源桥和相移准开关电容器电路的器件损耗比较
机译:基于SiC和GaN器件的超快速开关电源电路的EMI建模和表征。
机译:基于GaN超表面的高效可见光透射偏振器件
机译:基于功能扩展的折射率分布拓扑优化设计三维光电路器件
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:在硅衬底上生长GaN晶体的方法,制造基于GaN的发光器件的方法和基于GaN的发光器件
机译:GaN单晶衬底,制造相同方法的,基于GaN的半导体器件以及制造半导体器件的方法
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