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IGBT表面结构工程发展浅析

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为优化IGBT内部载流子分布,改善器件开通导通压降与关断损耗的制约,本文介绍了2005-2013年间ISPSD会议发表的具有代表性的IGBT表面工程新结构,特别是在目前国内IGBT相关背面、薄片工艺和设备配套和购买困难,以及受到国外相关技术专利限制的条件下,提高同业者对IGBT表面结构工程研发的重视,更具有极其重要的现实启发和借鉴意义.

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来源
《中国电工技术学会电力电子学会第十四届学术年会》|2014年|20-25|共6页
会议地点福州
作者
江兴川; 林信南;
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作者单位

中国电工技术学会电力电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN323.6:TN303;
关键词
绝缘柵晶体管; 表面结构工程; 通态压降; 关断损耗;
入库时间 2022-08-17 10:32:36

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