小临界电流台阶晶界结YBCO薄膜工艺研究

摘要

研究了直流磁控溅射参量对薄膜生长速率的影响。在自动化程度不高的普通溅射设备，通过适当增加预溅射时间、严格控制溅射电压和时间，在不计衬底粘贴质量的条件下可以将YBCO薄膜的沉积速率控制在5℅以内。