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5.5Tesla强场下Bi2Sr2CaCu2O8+□/I/Zn结的隧道谱研究

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本文首次报道了高质量Bi<,2>Sr<,2>CaCu<,2>O<,8+□>/I/Zn结的隧道谱随温度和磁场的变化的系统研究.观测到磁场垂直ab面比平行ab面对隧道谱的影响要大很多.本实验对高温超导体Bi2212的强的各向异性给出了一个新的证据.

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来源
《第六届全国超导电子器件学术会议》|2001年|83-86|共4页
会议地点贵阳
作者
陶宏杰; 宣毅; 赵柏儒; 赵忠贤;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM263;O511.4;
关键词
超导体; 单电子隧道结; 单电子隧道谱; 强磁场;

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