掺Eu<'3+>、Tb<'3+>或Ce<'3+>的InBO<,3>的合成与光谱

摘要

采用固相反应法合成了InBO<,3>:Re(Re=Eu,Tb,Ce)研究了InBO<,3>基质中稀土离子的光谱特性,观察到电荷迁移带位于255nm附近,Eu<'3+>离子在InBO<,3>中产生极强的<'5>Do→<'7>F<,1>的跃迁表明Eu<'3+>离子在该基质中占据对称性格位.Tb<'3+>的4f-5d允许跃迁位于240nm附近,而4f-5d禁戒跃迁位于267nm附近,Tb<'3+>离子呈现出极强的<'5>D<,4>→<'7>F<,5>发射.Ce<'3+>离子在InBO<,3>中不发光.