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氧化镁包埋的氧化锌量子点的形成和光致发光特性研究

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利用一种共蒸发及后退火的方法制备出包埋在氧化镁薄膜基质中的氧化锌量子点.经过退火之后进行的X射线衍射(XBD)实验表明了氧化锌的形成.在室温条件下,经过900℃和1000℃退火的样品的光致发光(PL)谱中在375nm附近表现出强的紫外光发射.从77K到室温的变湿光致发光谱的结果表明限制在氧化镁基质中的氧化锌量子点具有比较大的激子束缚能.此外,还讨论了退火温度和发光性质的关系

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来源
《第十五届全国激光学术会议》|2001年|506-508|共3页
会议地点武汉
作者
马剑钢; 刘益春; 吕有明; 孔祥贵; 申德振; 范希武;
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作者单位

中国光学学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.21;TN304.055;
关键词
氧化锌量子; 氧化镁薄膜; 光致发光; 后退火; 半导体薄膜;

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