首页> 中文会议>中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 >大功率超高速半导体开关RSD新结构及特性

大功率超高速半导体开关RSD新结构及特性

摘要

新近开发出了用于大功率脉冲电源技术的新型超高速开关RSD,本文介绍了该器件的结构,开通机制,特性及测试实验结果.设计电流10KA、50KA,开通时间数十纳秒,断态重复峰值电压20KV的RSD堆已在实验室制出并在湖北襄樊仪表元件厂合作试生产.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号