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高半胱氨酸SAM膜电极的制备及其表征

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高半胱氨酸能否在多晶金盘电极上形成稳定的SAM膜取决于金电极的预处理.本文介绍了高半胱氨酸SAM膜电极的制备,并对其进行了电化学表征.

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来源
《第八届全国电分析化学学术会议》|2002年|255-256|共2页
会议地点兰州
作者
郁章玉; 王慧云; 孙勤枢; 王宁; 王洪恩;
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作者单位

中国化学会;

中国金属学会;

中国仪器仪表学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类电极过程;
关键词
修饰电极; 高半胱氨酸; 金电极; 伏安法;

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