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应用近场光学技术研究在GaInP外延层上的InP自组装结构

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应用MOCVD技术在GaInP外延层上制备了InP自组装结构;并用近场光学成像技术对外延层表面及InP自组装结构进行了研究.

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来源
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》|2003年|54-54|共1页
会议地点牡丹江
作者
王浩; 范广涵; 廖长俊;
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作者单位

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体激光器;
关键词
近场光学; 自组装; MOCVD; 外延层; 量子点激光器;
入库时间 2022-08-17 11:07:34

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