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基于0.35 μm工艺设计的APS CMOS图像传感器

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本文介绍了一种基于CHRT公司0.35μm工艺而设计的CMOS图像传感器.该图像传感器采用APS像素结构,像素阵列256×256,包含有列放大器、阵列扫描、串行接口、控制逻辑和ADC等模块.该图像传感器采用动态数字双采样(DDDS)的新方法消除FPN噪音,并已经通过MPW采用CHRT0.35μmsalicide2P4M工艺流片.

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来源
《2004全国图像传感器技术学术交流会》|2004年|45-48|共4页
会议地点重庆
作者
刘宇; 中科院半导体所; 王国裕; 中科院半导体所; 赵洪信; 中科院半导体所; 崔昭华; 中科院半导体所;
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作者单位

中国光学学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 BICMOS（双极-MOS混合）集成电路;
关键词
图像传感器; 填充因数; 动态数字双采样; FPN; CMOS;
入库时间 2022-08-17 11:03:43

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