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瓦级输出功率的4H-SiC MESFET研制

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本文采用国产4H-SiC外延片,在2GHz下研制出输出功率1.3W、功率增益6.5dB的功率SiC MESFET,并对芯片加工工艺和器件的测试技术进行了分析,给出了相应的工艺和测试结果.

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来源
《第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会》|2005年|230-233|共4页
会议地点北京
作者
潘宏菽; 李亮; 王同祥;
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作者单位

中国半导体行业协会;

中国国际贸易促进委员会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类肖特基势垒栅场效应器件;
关键词
碳化硅; 金属肖特基场; 本征功率; 漏电导; 微波功率晶体管; 频率性能;

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