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杨德彬; 许文良; 王清海; 裴福萍; 纪伟强;
中国地质学会;
南京大学;
蚌埠隆起区; 花岗岩; 地球化学; 岩浆; 锆石U-Pb定年;
机译:美国德克萨斯州中部东部拉诺隆起花岗岩中中生代(-1.1 Ga)岩浆岩的地球化学和岩石成因
机译:秦岭造山带的新元古代,古生代和中生代花岗岩类岩浆作用:造山过程的制约
机译:蚌埠隆起井山辉长花岗岩中锆石的结晶两个阶段:对大别苏鲁超高压造山带同碰撞花岗岩的影响及Tan庐断裂带的运动高潮
机译:评估伊朗主要岩浆铁矿床的起源(Gol-Gohar,Sanagan和Bafq):地质,矿物学和地球化学特征的制约
机译:弧形变形和岩浆中的链路,节奏和质量余额在弧形中的岩浆:一个案例研究中生代塞拉纳弧弧集成地质映射,地理学,地理测量法,应变分析和数值模拟
机译:西塔特拉山的岩浆杂交。花岗岩入侵(S-波兰西喀尔巴阡山脉)
机译:蚌埠隆起中侏罗索斯花岗岩的地质和地球化学特征,华北地区东南部
机译:阿拉斯加东部40英里矿区的中生代岩浆作用和基底金属矿化Veta地区岩相,地球化学和同位素研究的初步结果
机译:具有半导体有源区和虚拟区的半导体器件,其中虚拟区的高度低于有源区的高度
机译:包括薄膜晶体管和具有与晶体管的源区或漏区相同的分层结构并且与该晶体管的源区或漏区成一体的布线部分的半导体器件
机译:在具有有源区和非有源区的半导体衬底中形成沟槽金属隔离器半导体部件,特别是用于高频用途的沟槽。有源区包含具有导电栅材料的沟槽,源极区,主体区
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