Ti1-xCoxO2稀磁半导体薄膜的制备、结构及磁性研究

摘要

本文用磁控溅射法在单晶Si(100)基片上,室温条件下制备了Ti1-xCoxO2稀磁半导体薄膜.为了比较,我们分别以Co粉和Co2O3粉为掺杂物制备了薄膜样品.溅射完毕后,将样品在大气中进行高温退火处理,保温时间2小时,自然冷却. 我们采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、振动样品磁强计(VSM)和超导量子干涉仪(SQUID)对样品进行了测试。