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脉冲功率源及半导体开关技术综述

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简要介绍了脉冲功率技术的发展及应用领域、研究现状,提出了脉冲功率源面临的若干关键技术问题,分析了作为核心元件之一的半导体开关在脉冲功率技术领域的优势,介绍了 GCT,IGCT,IGBT,功率 MOSFET的最新发展.论述了利用可控等离子体工作的功率器件 RSD以及利用延迟冲击-电离波工作的超高速半导体开关 DS的基本工作原理.展望了功率半导体开关在脉冲功率领域的巨大发展潜力.

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来源
《2006中国电工技术学会电力电子学会第十届学术年会》|2006年|p.1-2|共2页
会议地点西安
作者
余岳辉; 邓林峰; 梁琳; 吕炳科;
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作者单位

中国电工技术学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类各种开关;
关键词
脉冲功率源; 半导体开关; RSD;
入库时间 2022-08-17 10:39:24

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