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真空高温热退火对单晶磷化铟纳米孔阵列的形貌、微结构影响

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摘要

利用真空热退火的方法,研究了单晶InP方形纳米孔阵列退火后的形貌和晶相等特征。发现随着退火温度的不断升高,单晶InP中P的挥发性也越来越剧烈,到650℃后P完全挥发,样品变成In单质,而单晶InP方形纳米孔阵列的形貌也逐渐变得不均一,当退火温度高于550℃,整个纳米孔阵列被完全破坏.

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来源
《第六届中国功能材料及其应用学术会议》|2007年|894-895|共2页
会议地点武汉
作者
曾安生; 郑茂俊; 马荔; 沈文忠;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

中国物理学会;

中国光学学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 O472.1;TN304.23;
关键词
单晶磷化铟纳米孔阵列; 真空高温热退火; 表面形貌; 微结构;
入库时间 2022-08-17 10:27:36

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