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刘祥林; 康亭亭;
中国有色金属学会;
中国有色金属工业协会;
华南师范大学;
机译:控制氮化铟和氮化铟镓纳米线的生长
机译:原位激活铟(III)三缩琥珀前体,通过原子层沉积外延生长氮化铟的生长
机译:氮化铟型氮化铟氮化铟纳米结构的形成
机译:在纳米棒上生长的氮化铟和铟镓氮化镓层
机译:氮化铝,氮化铟,氮化铝铟半导体薄膜和纳米结构的生长和表征。
机译:从封面开始:使用生长在硅(111)上的氮化铟镓进行固态照明的不寻常策略
机译:通过氧化铟与氨的反应的纳米和微观结构氮化铟晶体的生长
机译:用于新型中红外和红外探测器和发射器的InN和富铟III族氮化物复合半导体的高压CVD生长。
机译:形成氮化铟镓包括在腔室内提供氮化镓层,以及在氮化镓层的表面上外延生长氮化铟镓层。
机译:形成通过金属有机汽相外延(MOCVD)生长的氮化铟(InN)和氮化铟镓(InGaN)量子点
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