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集中供热改善吉利城区大气环境质量

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本文介绍洛阳市吉利区新建热电厂为工业和民用采暖集中供热,削减了城市大气污染的点源和面源,改善城区大气环境质量,可为其它城市的建设和环境保护规划提供参考.

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来源
《中国环境科学学会2007年年会》|2007年|692-694|共3页
会议地点北京
作者
张宇楠; 张元辉;
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作者单位

中国环境科学学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类区域环境规划与管理;
关键词
集中供热; 大气环境质量; 大气污染; 环境保护;
入库时间 2022-08-17 11:12:17

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3. halfgeleiderinrichting,in a comprehensive hoofdoppervlak halfgeleiderlichaam geleidingstype formed with a first row of semiconductor devices comprising at least a first and a second basiscontactgebied with the first geleidingstype and with a higher conductivity than the halfgeleiderlichaam and from a relatively small emittergebied with the first geleidingstype opposite second yellowidingstype and a stroomgestuurde negative weerstandskarakteristiek between the first and the emittergebied basiscontactgebiied showwhen a instelvoedingsbron is connected between the first and the second basiscontactgebied and beeldopneeminrichting fitted with such a halfgeleiderinrichting. [P] . 外国专利： NL173112C . 1983-12-01

机译：在由至少第一和第二基本半导体接触形成的第一行半导体器件中形成的全面霍夫多普法克半吉利德型凝胶，该第一行和第二基极接触与第一吉利德型混合，并且导电率高于半吉利德型，并且相对较小的发射体与第一吉利德型相对，第二黄变相反当在第一和第二基极接触点之间连接一个插接的sbron时，并且在第一和第二基极接触点之间形成了一个绝热负负weerstandskarakteristiek，显示了这种半geleleiderinrichting。

4. halfgeleiderinrichting,in a comprehensive hoofdoppervlak halfgeleiderlichaam geleidingstype formed with a first row of semiconductor devices comprising at least a first and a second basiscontactgebied with the first geleidingstype and with a higher conductivity than the halfgeleiderlichaam and from a relatively small emittergebied with the first geleidingstype opposite second yellowidingstype and a stroomgestuurde negative weerstandskarakteristiek between the first and the emittergebied basiscontactgebied showwhen a instelvoedingsbron is connected between the first and the second basiscontactgebied and beeldopneeminrichting fitted with such a halfgeleiderinrichting. [P] . 外国专利： NL173112B . 1983-07-01

机译：在由至少第一和第二基本半导体接触形成的第一行半导体器件中形成的全面霍夫多普法克半吉利德型凝胶，该第一行和第二基极接触与第一吉利德型混合，并且导电率高于半吉利德型，并且相对较小的发射体与第一吉利德型相对，第二黄变相反当在第一个和第二个基础接触之间连接一个插接的sbron时，在第一个和第二个基础接触之间就形成了一个绝热负的weerstandskarakteristiek，显示了这种半geleideriderrichting。

5. ghillie suit manufacturing equipment ghillie suit manufacturing method and ghillie suit using the same [P] . 外国专利： KR101888128B1 . 2018-08-14

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