富碳β-SiC的燃烧法合成及微波介电性能

摘要

以硅粉和炭黑为原料，利用燃烧合成法，在0.1MPa的N2气氛下合成了β-SiC粉体。对其进行拉曼光谱和SEM表征，结果表明:合成的SiC为含有C反位缺陷CSi和石墨态sp2C的富C β-SiC固溶体。添加剂聚四氟乙烯(PTFE)含量为10％时合成的SiC粉体为等轴状团聚颗粒，粒径约为0.2μm，随着PTFE添加量的增加，SiC粉体颗粒的平均粒径增大。在8.2~l2.4GHz频率范围对所合成SiC的介电常数进行测试，发现15％PTFE时合成的SiC粉体具有较好的介电常数实部ε'、虚部ε"和介电损耗tanδ，对其微波损耗机理进行了讨论。