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ZnO压敏薄膜晶界效应研究

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对GDARE法制备的ZnO薄膜样品进行不同热处理时间的压敏特性、交流阻抗谱测试,结果表明不同的热处理时间对薄膜的I-V非线性特性有重要影响,热处理时间延长,薄膜晶界电阻不断下降.文章讨论了薄膜晶界处吸附气体电荷浓度对晶界处形成的势垒高度的影响.建立不同热处理时间下ZnO压敏薄膜晶界势垒模型,得出热处理时间对ZnO薄膜晶界效应的影响机理.

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来源
《第11届全国固体薄膜会议》|2008年|23-28|共6页
会议地点杭州
作者

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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类特种结构材料;
关键词
氧化锌薄膜; 压敏电压; 势垒模型; 热处理; 晶界效应;
入库时间 2022-08-17 11:08:57

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