利用钛过渡层及掺铜工艺改善声表面波器件的功率特性

摘要

随着3G时代的到来,对SAW器件的功率承受力及基体的附着力提出了越来越高的要求,采用纯铝薄膜制造的声表面波(SAW)器件已不能满足要求。本文介绍了一种以数纳米的钛作为过渡层,掺杂少量铜元素的铝合金薄膜结构,以提高合金薄膜的抗电迁移能及功率承受力。结果表明Ti/Al-cu薄膜比纯Al膜有更强的基体附着力和功率承受力。