高压纳秒双快沿脉冲源研究

摘要

本文简要介绍了一种基于高压场效应管(MOSFET)的纳秒级双快沿脉冲源的原理。rn 着重从脉冲源快前沿与快后沿成形机理、高压MOSFET多管级联以及提高MOSFET输出脉冲开关速度的“过”驱动理论等几方面出发,分析了提高脉冲源输出特性的方法并通过实验验证,实验中确定由高压雪崩管及脉冲变压器组成的特殊大电流“过”驱动电路,产生了幅度大于4kV、前后沿均小于5ns的高压快脉冲。