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李配军; 白忠; 王智河; 吴王杰; 张宏; 邱里;
中国电工技术学会;
中国电机工程学会;
Li掺杂; YBCO晶体; 交流磁化率; 临界电流密度; 有效激活能;
机译:基于交流磁化率测量的基于HGBA2CA2CU3OX的磁通量扩散临界电流密度和临界电流密度
机译:磁化率和〜(63)Cu核弛豫引起的YBCO124和掺杂不足的YBCO123的涨落效应和反磁异常
机译:具有相同工程临界电流密度的YBCO导体和BSCCO复丝带的总交流损耗特性比较
机译:掺杂Y的MTG YBCO中的临界电流密度增强
机译:关于两个掺杂的故事:超导状态下的YBCO(6.5)(掺杂不足)和YBCO(6.993)(掺杂过量)的微波电荷电导率。
机译:未掺杂和Tb Plus Tm双掺杂磷酸锂镁镁(LiMgPO4LMP)晶体的本征和与掺杂有关的发光
机译:薄YBCO薄膜中临界电流密度对晶体方向的依赖性
机译:磁化率测量中交流损耗数据与YBCO薄膜质量(后印刷)的相关性。
机译:YBCO涂层中改善的高临界电流密度的结构
机译:YBCO覆盖时提高了高临界电流密度的结构
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