不同浓度硅藻生长抑制剂二氧化锗对裙带菜配子体生长的影响

摘要

在裙带菜(Undaria pinnatifida)配子体培养和种质保存过程中，杂藻污染是十分棘手的问题。硅藻是最常见、最难处理的杂藻污染之一。由于硅藻与配子体的生长条件较为一致，采用限制光照、降低温度等处理方法难以达到去除污染硅藻的效果。因此，需要添加某些对硅藻生长有抑制作用的化合物抑制污染硅藻的生长，二氧化锗(GeO2)是广为采用的、有效的硅藻生长抑制剂。本文实验中选用裙带菜配子体、受硅藻污染的配子体和硅藻为实验材料，在培养基中分别添加0、1、 5、 10、 50、 100 mg/L的GeD2，以叶绿素a和可溶性蛋白含量、配子体质量(鲜重)为生理指标，检测在不同浓度GeO2处理条件下，随时间变化裙带菜配子体的生长和代谢变化情况，以及受硅藻污染的配子体所用培养基中硅藻的数目及生长状态；在硅藻培养基中添加0、1、 5、10、15mg/L的GeO2,测定并绘制硅藻在胁迫条件下的生长曲线，观察GeO2对硅藻的抑制作用以及硅藻细胞结构的变化。以期筛选出对裙带菜配子体生长影响最小而又能达到抑制污染硅藻的最佳GeO2使用浓度。