SOI超高压动态压力传感器研究

摘要

由于在国民经济发展和国防建设的需要，超高压力的测量一直都是研究的课题，但是由于国外技术的封锁以及我国相关技术发展较晚，这方面一直不成成熟。rn 本文采用MEMS工艺制作的SOI硅微应变固态压阻芯片与柱形弹性体相结合的方式将爆炸过程中的动态超高压力的测量转变为弹性体受压发生应变的测量。经过实验证明本文所设计的量程为2GPa的超高压动态压力传感器可成功对爆炸过程的超高压力进行测量，为炸药性能的改善以及国防武器的研究提供了参考，同时为下一步研究更高压力10GPa以上的传感器奠定了基础。