介质阻拦放电等离子体降解强温室气体NF3

摘要

三氟化氮是一种可用作等离子体蚀刻硅半导体材料的气体。由于它蚀刻硅时主要产物为易挥发物,且对于硅具有高选择性和蚀刻速率较高等优点,三氧化氮将作为CF4和C2F6等干蚀刻气体剂的替代品。NF3在常温下化学性质是稳定的,不会爆炸和燃烧。但是它有较强的吸入毒性,直接威胁到人体健康。美国政府工业健康联合会建议三氟化氮的8h暴露极限仅为10×10-6。NF3在大气中存在的寿命长达550年,其温室效应为二氧化碳的1.7万倍,GWP值高达10800。据报道,全球200S年NF3的生产能力已经达到4000t/a。虽然NF3现在造成的温室效应和C02相比并不显著,但如果任其排放到大气中,经过长时间累积仍然会造成难以估量的环境效应。为了防患于未然,控制NF3在大气中的浓度仍然是我们面临的课题。