CCD在不同通量电子辐照下的损伤机理研究

摘要

为了研究CCD的高能电子辐射损伤机理，对TCD1209线阵CCD进行了能量为1.1MeV的电子辐照实验，共选取了两种不同的电子通量，辐照后对器件进行了常温退火实验，实验过程中考察了CCD受辐照条件下及退火后其光响应灵敏度、暗电流、参考电平、功耗电流等特性参数的变化规律，实验结果表明，CCD受电子辐照后主要产生总剂量电离损伤，在不同通量电子辐照下的损伤效应类似于MOS器件的时间相关效应。