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應用於5.8 GHz WiMAX無線傳輸之轉導提升的Colpitts VCO晶片設計

摘要

本研究使用转导提升(Gm-boosting)技术及TSMC 0.18um CMOS 1P6M 制程来设计应用於 WiMAX 之Colpitts 压控振荡器(VCO),相较於一般NMOS cross-coupled VCO与complementary cross- coupled VCO,本设计电路有较佳的相杂讯(phase noise),且该VCO 使用转导提升的技术,电路能够设计在比较小的电流下达到起振,所以能降低功率消秏。晶片实测的振荡频率可调范围(tuning range) 为5.29~6.07 GHz,在5.73 GHz 下,输出功率为-6.67dBm,相杂讯在1MHz 偏移下为-123.4 dBc/Hz,在供应电源电压为1V 下,核心电路的功率消耗为4.7 mW,包含PADs 的晶片面积为0.61 x 0.66 mm2。

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