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ALD反应腔分区加热控制

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在原子层沉积系统(Atomic layer deposition) ALD的薄膜生长工艺流程中,关键部分在于对工艺腔室内部温度和压强的控制.由于ALD反应腔内部温度控制具有非线性、滞后性及时变性,本文通过对反应腔采取分区加热的方法,使用西门子TIA博途软件自带的具有抗积分饱和功能的PID控制器,加上前馈补偿PID控制算法,很好地解决了反应腔内温度均匀性这一问题.并通过实验实测数据和仿真,得出整个温度控制范围误差控制在5℃‰.

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来源
《2015年西南三省一市自动化与仪器仪表学术年会》|2015年|38-3942|共3页
会议地点贵阳
作者
杨宁; 余平; 狄芬芬;
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作者单位

中国自动化学会;

中国仪器仪表学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜技术;
关键词
原子层沉积系统; 薄膜技术; 温度控制; 分区加热法; PID控制算法;
入库时间 2022-08-17 10:15:31

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