高压氧对脑缺血再灌注后神经细胞调亡的影响

摘要

目的：探讨高压氧对脑缺血再灌注后神经细胞调亡的影响。rn 方法：成年健康雄性Wistar大鼠36只，随机分为假手术组、对照组、高压氧暴露组，后两组再分为脑缺血1h再灌注12h、24h、3d、5d组，每组4只，应用线栓法制作大鼠左侧大脑中动脉阻塞再灌流模型(MCAO)，进行高压氧暴露，应用HE染色和细胞凋亡检测，观察神经细胞病理变化和细胞凋亡分布。rn 结果：对照组随着再灌注时间的延长凋亡细胞的数逐渐增加，至24d达高峰，后逐渐减弱，至5d仍高于假手术组;高压氧暴露组凋亡细胞的数量相对较少，其变化规律与对照组相似，但是在同一时间点比较，均明显低于对照组。rn 结论：高压氧可以抑制神经元凋亡，促进神经功能恢复。