各向异性三层材料中位错引起的应力场的研究

摘要

本文针对各向异性三层材料中由位错引起的应力场进行了研究.基于镜像法,初始的三层材料首先分解为三个无限大体结构.为了满足初始三层材料的边界条件,在三个无限大体结构中相应的位置上分布镜像位错密度函数.这些镜像位错密度函数将作为未知数进行求解.通过把影响目标区域应力场的位错、镜像位错密度函数进行求和,即可求解出该区域的应力场.通过边界条件验证了本研究求得的应力场是满足自由边界条件和层间界面边界条件的.本研究考虑层厚,位错位置和晶向取向因素的影响,对位错在各向异性三层结构Si-Ge0.5Si0.5-Si中的应力场进行了探讨.研究的结果表明:层厚和位错位置对应力场的影响明显;相比之下,晶向取向对应力场的影响不明显.