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PIN型非晶硅a-Si:H太阳电池短波光谱响应的研究

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本文提出了一种测试短波光子在光损耗层（P 层，PI-buffer 层）的吸收损失的方法，从而弥补了量子效率测试无法将吸收损失和输运损失分开的不足。对不同P 层厚度和 PI-buffer 厚度对短波光子的吸收实验结果显示，P 层厚度在10nm 左右时对短波光子吸收较明显，而PI-buffer 层则不仅引起短波光子吸收损失严重，而且影响的波段的范围更广.

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来源
《中国可再生能源学会2011年学术年会》|2011年|18-22|共5页
会议地点北京
作者
王利; 张晓丹; 赵颖; 刘伯飞; 杨素素; 魏长春; 孙建; 张德坤; 耿新华;
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作者单位

中国可再生能源学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM914.41;
关键词
吸收损失; 挡光片; 非晶硅; 太阳电池; 量子效率; 短波光子;

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