辐射发射

摘要： 为了仿真预测整车高压系统的低频辐射发射强度,利用多端口网络理论将高压系统等效为端口网络,在FEKO软件中进行高压系统建模,仿真计算各端口间的散射参数(S参数),获得端口网络的耦合特性,并根据端口电压与电流的关系推导出整车辐射发射电压、电流预测公式,根据天线系数转换获得了预测电磁场。分别在40 km/h、16 km/h和70 km/h车速下进行实车参数采集,根据耦合特性以及实车采集参数进行了仿真预测,通过与GB/T 18387—2017中电磁场发射强度的预扫描(40 km/h)及终扫描(16 km/h、70 km/h)的测试结果进行对比,验证了整车电磁兼容(EMC)预测方法的有效性。

摘要： 根据线缆理论模型分析,通过将HDMI线缆的结构设计转化为电气特性参数,结合半电波暗室测试的辐射发射数据,从插入损耗、回波损耗及特性阻抗三项电气特性参数的角度,分析了结构设计对HDMI线缆辐射发射性能的影响,提出了HDMI线缆在EMC方面所需关注的结构设计重点。

摘要： 本文设计了一种基于GTEM小室建设亟需的电磁辐射发射测试和电磁辐射敏感度测试系统,采用了应用程序测试的设计方案,通过GPIB/LAN/USB总线对系统中的测试设备进行远程控制,实现自动化测试功能。该测试平台对于提高维修工厂装备电磁兼容测试能力具有重要意义。

摘要： 电动汽车在进行GB34660-2017标准要求的宽带发射试验时,车辆一般在半电波暗室(ALSE)内转毂上40km/h车速下进行试验。当轮胎扎钉时,金属钉子与金属转毂间的接触与分离会促使金属间产生摩擦带电的现象,通过理论分析得到该现象产生的静电放电效应在30_1000MHz宽频带会产生较大的对外发射,影响电动汽车的宽带发射结果。通过实际静电放电测试,验证了静电放电效应对辐射发射测量的影响。

摘要： 车规级芯片电磁兼容(EMC)技术关乎汽车特定电子系统及其周围电子系统运行的安全可靠性,目前国内缺少可以筛选具有良好电磁兼容性能的汽车电子芯片的标准方法,以及提前预测芯片EMC性能的模拟建模方法。文章基于国内外资料调研和课题组的研究成果,综述了车规级芯片在EMC测试方法、建模仿真方面的研究成果,并配合实际案例,介绍了汽车电子芯片的EMC测试流程及方法,通过仪器测量和IC_EMC软件的数据处理,建立微控制单元(MCU)的瞬态脉冲抗扰度的行为级模型,旨在为汽车电子设计人员提供测试及建模方面的参考。

摘要： 国内首次承担国产大型客机研制,缺乏机载系统级适航鉴定的技术经验,同时国内外辐射发射研究基本以仿真评估为主,然而仿真结果仅能作为参考,不能在适航鉴定过程中作为符合性证据,并且国内缺少复杂机载系统级的试验经验。以民机飞控电子系统辐射发射鉴定试验为例,将适航符合性需求转化为工程需求,分析民机飞控系统复杂性特征,搭建飞控电子系统级辐射发射试验系统,完善系统级适航鉴定试验和优化过程,为国内外民机复杂系统适航鉴定提供经验。试验结果表明飞控电子系统的辐射发射会因系统试验环境不同而显著变化,同时必须考虑到试验搭建设置对试验通过性的影响,并表明试验符合性满足RTCA/DO-160G要求。

摘要： (上接2022年第2期)4电动摩托车电磁耦合发射途径和发射原理电磁发射按能量的传播形式可分为传导发射和辐射发射,辐射发射通过空间电磁场进行传播,而传导发射一般通过导线中的电流进行传播。对电动摩托车的电磁发射来说,骚扰源的辐射发射大多数已经被控制器和DC-DC的金属外壳所屏蔽,但仍有部分会透过外壳向空间发射。另外也有部分能量会通过控制器和DC-DC输出线缆(电机相线、灯具和仪表电源线)以传导发射的形式传播,因为电流传导经过的线缆大多数为非屏蔽线缆,所以传导发射还可以引起辐射发射向空间中传播。

摘要： 晶振是一种最为常见的高频时钟信号噪声源,由于其产生的振荡频率及其各次谐波引起辐射发射超过规定限值的现象非常普遍,导致医用电气设备通过该项测试的概率较低。该研究通过对晶振引起辐射发射超标的原因进行排查,对整改案例进行分析、总结,提出了晶振在印刷电路板(PCB)上的常用设计规范及整改措施。

摘要： 为了对线缆的辐射干扰强度进行快速预测,本文以电偶极子天线为辐射模型,并结合传输线理论,提出了一种快速计算线缆辐射电场强度的计算方法。经过对比验证,该方法不仅与仿真结果吻合较好,而且在计算速度上优势显著,线缆的辐射计算对快速预测各设备的电磁场具有重要意义。

摘要： 针对某光学定位系统辐射发射的超标问题,分析其干扰原因,进行干扰源的定位和超标原因分析,并从电路布局、结构设计、骚扰源滤波设计、减小接地阻抗等方面对样品进行了整改分析及整改实施。整改后,辐射发射测试结果符合GB 4824-2019中1组A类测试要求,对其他类似医疗产品进行电磁兼容设计、整改具有一定参考价值。

摘要： 本实验室依据多年对继电测量保护及相关产品测试数据积累,以一典型设备辐射发射测试结果进行此类产品的骚扰特性分析,同时对EMI测试中,其布线配置方式对实验不确定性的影响,进行了实验验证.

摘要： 在CISPR25：2008中要求使用1m的拉杆天线测量0.15MHz～30MHz的辐射发射，其规定的测量布置与美军标MIL-STD-461F存在差异。选取典型受试设备，分别采用CISPR25：2008和MIL—STD-461F中规定的拉杆天线的测量布置对受试设备进行实际测量，结果表明：CISPR25：2008中规定的试验布置易产生谐振现象，测量数据将受此影响而产生偏差。MIL-STD-461F中规定的试验布置更能准确的测量受试设备的发射值。建议国际无线电干扰特别委员会D分会(CISPR/D)在修订CISPR25时参照美军标对其测量布置进行修正。

摘要： 辐射发射超标是通讯系统设备EMC测试中出现频次最多的问题,本文总结了常见辐射超标问题的处理步骤,提出了利用穿心电容等辅助测试工装来定位问题和利用结构屏蔽效能测试工装查找问题的技巧。

摘要： 本文通过实际案例介绍了如何通过选择合适容值的去耦电容来降低PCB板的辐射发射，为有类似问题的相关设计人员提供了一条思路。

摘要： 文章通过比较各种电磁辐射测量场地阐述了混响室的优势,介绍了混响室空腔校准和带载校准的过程并给出了利用混响室进行辐射发射和抗扰度测量的方法。

摘要： 航空电源产品高度集成化的发展可以提高产品的可靠性和效率,但伴随而来的是电磁干扰问题的复杂性和潜在危害性随之加剧.对航空电源产品进行辐射发射测试是电磁兼容性检测的重要项目,目的是用来考核产品的辐射发射是否满足标准要求、判断产品辐射干扰的程度。对航空电源产品在电磁兼容性测试中的辐射发射项目进行了全面介绍和分析,详细介绍了航空电源产品辐射发射的测试方法和测试布置,并对测试结果进行了分析,给出一些辐射干扰的抑制措施.

摘要： 电动汽车经过了这些年的发展,逐步走出实验室,向消费市场大跨步迈进。而目前的电磁兼容标准普遍建立在内燃机汽车基础上,对电动汽车的适用性较差。无论从测量方法还是样品状态,都缺乏充分的考虑。本篇文章简述了被试车辆状态对电磁兼容测试数据的影响,希望从另一个侧面为实验室人员提供试验依据。

摘要： 本文结合实际案例阐述了产品辐射发射或辐射杂散骚扰测试超标频点的EMC仿真分析方法。通过仿真或测试得到包含超标频点的关键噪声源，再将这些关键噪声源作为仿真输入进行板级EMC仿真，通过板级EMC仿真复现超标频点，并通过单板PCB的EMC仿真优化验证及EMC改进最终达到解决产品EMC测试超标的目标。

摘要： 本文介绍了电磁兼容现场测试的必要性,分析了现场电磁兼容测试标准的制定情况及环境噪声的处理方法,并对国内外现场电磁兼容测试方法和测试系统研制现状进行了总结,最后提出的研究电磁发射现场测试中环境干扰的消除技术具有十分重要的理论和实际意义.

摘要： 本文介绍了电磁兼容现场测试的必要性,分析了现场电磁兼容测试标准的制定情况及环境噪声的处理方法,并对国内外现场电磁兼容测试方法和测试系统研制现状进行了总结,最后提出的研究电磁发射现场测试中环境干扰的消除技术具有十分重要的理论和实际意义.

摘要： 提出一种用于制造发射辐射的半导体芯片的方法，其中将第一波长转换层（8）施加到半导体本体（1）的辐射出射面（2）的上方，其中施加方法选自：沉降、电泳。此外，在半导体本体（1）的辐射出射面（2）的上方施加第二波长转换层（4），其中第二波长转换层（4）在单独的方法步骤中制造且随后施加或者施加方法选自：沉降、电泳、印刷。此外，提出一种发射辐射的半导体芯片以及一种发射辐射的器件。

摘要： 本发明提出一种发射辐射的半导体本体（14），所述半导体本体除了带有适合产生电磁辐射的有源区（4）的外延的半导体层序列（3）之外具有承载层，所述承载层设置成机械地稳固外延的半导体层序列（3）。此外，半导体本体（14）具有接触结构（9，91）以用于电接触半导体本体（14），所述接触结构分别具有体积区域（12）和表面接合区域（13），其中表面接合区域由与体积区域（12）的材料不同的材料形成。此外，提出一种用于制造这种半导体本体（14）和带有这种半导体本体（14）的器件的方法。

摘要： 提出一种用于制造发射辐射的半导体芯片(1)的方法，具有如下步骤：‑提供半导体晶片(2)，‑将第一接触层(5)施加到半导体晶片(2)上，‑将承载装置(8)固定在半导体晶片(2)处，‑将半导体晶片(2)分割成半导体本体(13)，和‑将第二接触层(14)施加到半导体本体(13)上。此外，提出一种发射辐射的半导体芯片和一种发射辐射的器件。

摘要： 本发明提出一种发射辐射的半导体本体（14），所述半导体本体除了带有适合产生电磁辐射的有源区（4）的外延的半导体层序列（3）之外具有承载层，所述承载层设置成机械地稳固外延的半导体层序列（3）。此外，半导体本体（14）具有接触结构（9，91）以用于电接触半导体本体（14），所述接触结构分别具有体积区域（12）和表面接合区域（13），其中表面接合区域由与体积区域（12）的材料不同的材料形成。此外，提出一种用于制造这种半导体本体（14）和带有这种半导体本体（14）的器件的方法。

摘要： 提出一种用于制造发射辐射的半导体芯片的方法，其中将第一波长转换层（8）施加到半导体本体（1）的辐射出射面（2）的上方，其中施加方法选自：沉降、电泳。此外，在半导体本体（1）的辐射出射面（2）的上方施加第二波长转换层（4），其中第二波长转换层（4）在单独的方法步骤中制造且随后施加或者施加方法选自：沉降、电泳、印刷。此外，提出一种发射辐射的半导体芯片以及一种发射辐射的器件。

摘要： 本发明涉及一种用于发射电磁辐射的装置。该装置包括第一电极、第二电极和从第一电极延伸到第二电极的激子复合层。该装置配置用于通过改变第一电极和第二电极之间的电场来重新定位激子复合层中的复合区，或通过透明基板发射电磁辐射。

摘要： 提出一种发射辐射的设备，其具有多个发射器(1)和多个光学元件(2)，其中发射器沿着第一发射器方向(dE1)以第一平均发射器间距AE1并且沿着倾斜于或垂直于第一发射器方向伸展的第二发射器方向(dE2)以第二平均发射器间距AE2设置，并且其中光学元件沿着第一光学方向(dO1)以第一平均光学间距(AO1)并且沿着倾斜于或垂直于第一光学方向伸展的第二光学方向(dO2)以第二平均光学间距AO2设置，并且其中满足以下四个条件中的至少一个条件：(i)NE1*AE1*cosΦ＝m2*AO1，(ii)NE2*AE2*sinΦ＝m4*AO1，(iii)NE1*AE1*sinΦ＝m1*AO2，和(iv)NE2*AE2*cosΦ＝m3*AO2，其中NE1是沿着第一发射器方向的发射器的数量，NE2是沿着第二发射器方向的发射器的数量，Φ是在第一发射器方向和第一光学方向之间的角度，并且m1、m2、m3和m4分别是因数。此外，提出一种用于制造发射辐射的设备的方法，所述设备具有多个发射器和多个光学元件。

摘要： 给出一种发射辐射的半导体芯片(1)，其具有：‑包括辐射出射面(2)(2)的彼此分离的发射极区域(3)，‑外延的半导体层序列(4)，其包括有源区域(5)，其中每个有源区域(5)被构建为用于从相应的发射极区域(3)发射电磁辐射，以及‑与辐射出射面(2)对置的安装面(6)，其中安装面(6)包括多个第一可焊接接触面(7)和第二可焊接接触面(8)，其中‑每个有源区域(5)能够分别利用第一可焊接接触面(7)和第二可焊接接触面(8)来通电，‑第一可焊接接触面(7)布置在安装面的内部区域(9)中，以及‑第二可焊接接触面(8)布置在安装面的边缘区域(10)中。此外，给出一种具有这种半导体芯片(1)的发射辐射的半导体元件(20)和一种探照灯。

摘要： 提出一种发射辐射的半导体芯片(1)，具有：‑半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有多个有源区域(3)和主延伸平面(4)，其中‑每个有源区域(3)具有主延伸方向(5)，‑每个有源区域(3)在运行时从平行于主延伸平面(4)伸展的发射器区域(6)发出电磁辐射，‑发射器区域(6)设置在规则的网格的网格点(7)上，所述网格点通过至少一个网格线(8)连接，和‑至少一个有源区域(3)的主延伸方向(5)与规则的网格的网格线(8)包围至少10°和最高80°的角度(11)。此外，提出一种具有这种半导体芯片(1)的发射辐射的半导体器件。

摘要： 本实用新型实施例提供一种用于极低发射度同步辐射光源的插入装置及极低发射度同步辐射光源，用以解决现有技术中的类椭圆形状管腔的插入装置在被电子、离子和光子轰击时，光束的光斑较大,无法将光束发射度控制在0.01纳米·弧度以下的技术问题。插入装置的金属管体具有横截面呈圆形的管腔，金属管体的管腔内壁设置有吸气剂薄膜涂层；管腔的直径不大于10毫米。通过采用横截面呈圆形的管腔结构及在管体的管腔内壁设置吸气剂薄膜涂层，以使真空状态下的管腔内具有均匀的高抽速和压强分布，吸收H