摘要:氧空位的相对移动及在电极/铁电薄膜界面的捕获是引起铁电薄膜器件产生疲劳的一个重要原因。本文在明确相关疲劳机理的基础上,采用sol-gel和磁控溅射的方法在Si衬底上成功制备了PbZr<,0.53>Ti<,0.47>O<,3>/BaPbO<,3>/Pt异质结构。与在传统的Pt底电极上的PZT铁电薄膜器件相比。在BaPbO<,3>/Pt电极上制备的PZT薄膜器件具有更为优良的铁电性能。剩余极化强度为26μC/cm<'2>,矫顽电场为86KV/cm。在经过10<'11>次极化反转后,极化强度值基本保持不变,显示了优良的抗疲劳特性。