脉冲激光沉积

摘要： 背景:修饰生长因子的骨组织工程支架在骨修复材料中具有广阔的应用前景,但生长因子释放过快导致复合支架仅能在早期促进骨修复,镀膜工艺为解决该问题提供了新思路。目的:制备Mg-F膜/淫羊藿素/β-磷酸三钙支架,表征该支架的生物学特性。方法:应用3D打印技术制备β-磷酸三钙支架,通过低能电子束沉积技术制备淫羊藿素膜/β-磷酸三钙支架,再通过脉冲激光沉积技术制备Mg-F膜/淫羊藿素膜/β-磷酸三钙支架,检测支架的微观结构、孔隙直径、孔隙率、丝径、抗压强度及元素组成,并分析淫羊藿素的结合力和缓释性能。将兔骨髓间充质干细胞分别与β-磷酸三钙支架、淫羊藿素/β-磷酸三钙支架与Mg-F膜/淫羊藿素膜/β-磷酸三钙支架浸提液共培养,利用CCK8法检测细胞增殖;将兔骨髓间充质干细胞分别与上述3种支架共培养,加入成骨诱导培养基,利用茜素红染色观察成骨分化能力。结果与结论:(1)扫描电镜下可见,β-磷酸三钙支架结构较为规则,孔隙连通率好;淫羊藿素膜/β-磷酸三钙支架表面有较为致密的淫羊藿素膜覆盖原微观孔隙;Mg-F膜在淫羊藿素膜表面沉积,留下较为粗糙、疏松的表面,存在微观孔隙;3种支架的孔隙直径、孔隙率、丝径、抗压强度比较差异均无显著性意义(P>0.05);(2)Mg-F膜/淫羊藿素膜/β-磷酸三钙支架的淫羊藿素结合力优于淫羊藿素膜/β-磷酸三钙支架(P<0.05),且淫羊藿素缓释更持久;(3)CCK8检测结果显示,3种支架浸提液不影响骨髓间充质干细胞的生长;茜素红染色显示,成骨诱导21 d时,Mg-F膜/淫羊藿素膜/β-磷酸三钙支架组和淫羊藿素膜/β-磷酸三钙支架架组钙结节数及钙结节成熟度优于β-磷酸三钙支架组;(4)结果表明,Mg-F膜/淫羊藿素膜/β-磷酸三钙支架具有良好的细胞相容性、促成骨能力、药物结合力及缓释性能。

摘要： 本文采用脉冲激光沉积和真空退火的方法在铝箔上制备氧化铟锡(indium tin oxide, ITO)表面增强拉曼散射(surface-enhanced Raman scattering, SERS)活性基底,并研究了ITO基底的SERS特性。沉积了700、1 000、1 300、1 600、2 000五组脉冲数的基底,测量结果显示薄膜厚度与脉冲数接近线性关系,当ITO薄膜厚度为60.80 nm(脉冲数为1 300)时,拉曼信号的增强程度达到最大值,其拉曼强度是Au基底的2~3倍。研究表明,真空退火能够显著提升ITO基底的拉曼增强效果,不同厚度的ITO薄膜基底均具有明显的SERS增强效果,可以通过控制薄膜厚度对ITO基底进行SERS调控。这些研究结果可为后续ITO材料SERS研究及应用提供参考依据。

摘要： 本文利用脉冲激光沉积技术在LaAlO;(001)衬底上生长了单晶锐钛矿和双相TiO_(2)薄膜,并利用X射线衍射和透射电子显微术对薄膜的显微结构进行了系统表征。单晶锐钛矿薄膜在LaAlO;(001)衬底上实现了外延生长,双相TiO_(2)薄膜以单晶锐钛矿TiO_(2)为基体,在其中夹杂着金红石TiO_(2)颗粒。TiO_(2)薄膜的相结构可通过调整靶材与衬底的间距来调控,远靶基距(150 mm)利于单晶锐钛矿薄膜生长,近靶基距(50 mm)易获得双相TiO_(2)薄膜。锐钛矿TiO_(2)电镜样品在离子减薄过程中易发生表面还原,导致电镜观察中出现莫尔条纹。研究表明30%H_(2)O_(2)浸泡可有效去除离子减薄样品表面的损伤层,防止莫尔条纹的出现。

摘要： 在不同氧分压下,用脉冲激光沉积法在c-蓝宝石衬底上制备了高质量β-Ga_(2)O_(3−δ)薄膜。通过X-射线衍射、远红外反射光谱、X-射线光电子能谱和紫外-可见-近红外透射光谱系统地研究了β-Ga_(2)O_(3−δ)薄膜的晶格结构、化学计量比和光学性质。X-射线衍射分析表明,所有沉积的薄膜以(-201)晶向方向生长。透射光谱显示薄膜在255 nm以上的紫外-可见-近红外波段具有80%以上的高透明度,同时在255 nm附近有一个陡峭的吸收边。此外,利用Tauc-Lorentz(TL)色散函数模型和Tauc公式,我们提取了β-Ga_(2)O_(3−δ)薄膜的光学常数和光学直接带隙。更进一步,我们通过理论计算解释了氧气分压对β-Ga_(2)O_(3−δ)薄膜光学性质的影响。

摘要： 针对极端环境下发动机涡轮叶片的应变测试需求,采用脉冲激光沉积和磁控溅射的镀膜工艺在氧化铝陶瓷基底上制备了以ITO/Pt复合薄膜为应变层的高温薄膜应变计,并研究了复合薄膜中ITO薄膜与Pt薄膜的厚度比对ITO/Pt复合薄膜应变计耐高温性能的影响。研究表明,复合薄膜厚度比为5.5∶1时,ITO/Pt复合薄膜应变计在高温(1200°C)环境下具有比较稳定的电阻温度系数(TCR),为564.52×10^(-6)°C^(-1)。此外,还对ITO/Pt复合薄膜应变计常温下的电阻随应变的变化情况进行了测试,测试结果表明,应变计的电阻随应变呈线性变化,其应变灵敏系数(GF)为3.10。

摘要： 随着光通信技术与光子集成电路的发展,非互易性器件作为光通信系统中重要的组成部分得到了越来越广泛的研究与应用。基于磁光效应制成的磁光隔离器和环行器是目前应用最为广泛的非互易性器件,为了将非互易性器件整块集成在硅片上,需制备性能与块状磁光材料相当的磁光薄膜。在近红外通信波段(1550 nm),以钇铁石榴石(Y_(3)Fe_(5)O_(12),YIG)为代表的稀土铁石榴石(RIG)具备优良的磁光效应,是最具应用前景的磁光材料之一。研究发现,使用稀土离子对YIG薄膜进行掺杂可以有效改善其磁光性能,尤其是Bi ^(3+)和Ce ^(3+)掺杂的YIG表现出巨法拉第效应。本文首先介绍了法拉第效应原理,介绍了三种常见磁光薄膜的生长方法,回顾了近年来的主要研究成果,介绍了磁光薄膜在光隔离器和环行器中的应用,最后对磁光薄膜的未来发展趋势进行了展望。

摘要： 在4d过渡族金属氧化物AMoO_(3)(A=Ca,Sr,Ba)中,BaMoO_(3)是唯一没有外延薄膜相关研究报导的材料.本文以BaMoO_(3)多晶陶瓷为靶材,利用脉冲激光沉积技术得到了高质量的BaMoO_(3)和BaMoO_(4)外延薄膜;分析了氧分压在薄膜生长中的作用,发现BaMoO_(3)的外延生长对氧分压极为敏感.通过氧分压调制实验,在SrTiO_(3)(111)衬底上发现了一种BaMoO_(3)参与的自组装超晶格结构,对其进行了结构表征和初步分析,并从脉冲激光沉积制备钙钛矿薄膜的动力学角度对该结构的形成进行了讨论;最后对本系列外延膜进行了电输运性质的表征,结果显示在SrTiO_(3)(001)衬底上的外延BaMoO_(3)薄膜有着更好的导电性.

摘要： 本文利用脉冲激光沉积技术在LaAlO_(3)(100)和SrTiO_(3)(100)衬底上生长了LaTiO_(3)薄膜,利用高分辨X射线衍射和透射电子显微术对薄膜的显微结构进行了系统表征,利用霍尔效应测量系统对薄膜的电学性能进行了研究。XRD结果表明在两种衬底上生长的LaTiO_(3)薄膜均为单晶薄膜,SrTiO_(3)衬底上的薄膜具有更高的结晶度。透射电镜显微结构表征的结果显示,LaTiO_(3)薄膜在两种衬底上均实现了外延生长,SrTiO_(3)衬底上的薄膜具有更少的晶格缺陷,薄膜与衬底之间的界面也更平直和明锐。薄膜I⁃V曲线测量的结果表明SrTiO_(3)衬底上的LaTiO_(3)薄膜具有更低的电阻率。两种薄膜显微结构和电学性能的优劣主要源自于薄膜与衬底之间的晶格失配大小,更小的界面失配有利于高质量薄膜的外延生长。

摘要： 本文利用脉冲激光沉积(PLD)技术分别在MgO(100)和Al_(2)O_(3)(0001)两种衬底上制备了Cr_(2)O_(3)薄膜,并借助X射线衍射仪和透射电子显微镜对两种薄膜的显微结构进行了表征。研究结果表明:由于MgO与Cr_(2)O_(3)的晶体结构不同,界面存在较大的晶格失配,MgO(100)衬底上制备的薄膜为低质量的Cr_(2)O_(3)多晶薄膜。薄膜致密度低,孔隙多,晶粒排列呈现纵横交织(90°取向差)的特征。由于Al_(2)O_(3)与Cr_(2)O_(3)具有相同的晶体结构,界面失配小,Al_(2)O_(3)(0001)衬底上的薄膜为高质量的Cr_(2)O_(3)单晶外延薄膜。薄膜均匀致密,外延性好,界面平整明锐,薄膜中形成了大量的贯穿位错线。

摘要： 本文主要研究了金属磁热材料Mn-Fe-P-Si薄膜的制备工艺及其磁性能。利用脉冲激光沉积法分别在刚性Si衬底和柔性云母Mica衬底上沉积Mn-Fe-P-Si薄膜。结果表明,在刚性Si衬底上制备的薄膜呈现明显孔隙,连续性较差,这可能是由于Mn-Fe-P-Si与衬底晶格参数存在失配引起的。而在柔性Mica衬底上Mn-Fe-P-Si薄膜元素分布均匀且致密性好。此外,本文还研究Mn-Fe-P-Si薄膜的结晶性和磁性能与退火温度的相关性。结果显示在退火温度低于1000°C时,Mn-Fe-P-Si薄膜结晶度较低,相应的磁性能也较差。当退火温度达到1100°C后,Mn-Fe-P-Si薄膜充分结晶,且表现出良好的磁性能。本论文有关Mn-Fe-P-Si薄膜形态的研究将有利于提升磁热材料的机械性能,为其实用化提供理论基础。

摘要： 针对应用脉冲激光沉积技术在Pt/Ti/SiO2／Si上制备多晶NiO薄膜，研究了氧分压对薄膜微观结构、表面形貌和阻变性质的影响.结果表明，1 Pa氧分压下制备的NiO薄膜表面乎整度最高，表面均方根粗糙度为0.5l nm.Au/Ni/NiO/Pt结构的Ⅰ-Ⅴ测试曲线表明其forming电压为4.4 V，高低阻态比值为2个数量级，并表现出可逆的阻值翻转现象.

摘要： 本文利用脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)的方法,通过调控AZO薄膜的衬底温度和氧分压,获得方阻为17.03Ω/sq的高导电率AZO薄膜.详细研究了衬底温度和氧分压对AZO薄膜电阻率的影响.如图1所示,结果表明:在不通氧气时,AZO薄膜电阻率随衬底温度升高而降低,而在氧气氛围中,该趋势正好相反.AFM测试表明,在无氧的氛围中,衬底温度增加改善了AZO薄膜粗糙度,从而使电阻率降低.然而,当通入氧气时,衬底温度对薄膜电阻率影响存在两个方面的效应:(1)改善AZO薄膜粗糙度从而减少表面散射,使电阻率降低;(2)如图2所示,促进了AZO薄膜对氧气的吸附,导致电阻率升高.因此,温度升高不但使氧在薄膜中的扩散系数增大,促进了更多的氧捕获电子,使薄膜电阻率增大;而且电子容易挣脱各种陷阱和缺陷被氧捕获,导致导电载流子浓度下降,也会使电阻率增大.

摘要： 由脉冲激光沉积法制备了一系列ZnO/Cu/ZnO和ZnO/Al/ZnO金属介质多层透明导电膜.样品的形貌和结晶状态通过了扫描电子显微镜和X射线衍射法来获得.同时还使用了慢正电子注入谱来分析样品的微结构.中间金属介质层比较薄的样品在退火后,其S-E曲线的变化规律与其他样品有着明显的不同.结晶性质,金属与ZnO的相互扩散及金属层的团聚等因素都影响着多层膜的光电性质.合适的退火条件能使多层膜质量提高从而获得低电阻率及高光透过率的多层透明导电膜.

摘要： 利用脉冲激光沉积技术,选用靶材为Mg0.5Zn0.5O陶瓷靶材,在非晶石英衬底上研究氧气流量对Mg1-xZnxO合金薄膜生长取向的影响。研究结果表明:在低压、低氧气流量条件下薄膜的成核生长主要受控于晶面的表面能,薄膜为(200)晶向；在沉积压强8.0Pa、高氧气流量条件下,反应粒子的能量降低,不同取向晶粒的生长速率发生变化,导致薄膜的生长取向发生变化,晶向由(200)变为(111)。

摘要： 采用脉冲激光沉积技术(PLD)在Al2O3(0001)衬底上制备了Mn掺杂ZnO稀磁薄膜，利用原子力显微镜、X射线衍射、光致发光、磁滞回线系统地表征了不同氧压对样品的表面形貌、微观结构、光学性质和室温铁磁特性的影响。结果表明沉积的薄膜均具有良好的c轴择优取向，在氧分压为5 Pa时得到的(002)衍射峰半高宽最小，但薄膜的室温铁磁性随氧分压的增加而增大，分析认为Mn掺杂引起的锌空位可能诱导了Zn0.99Mn0.01O薄膜窒温铁磁性。

摘要： 采用脉冲激光沉积法(PLD)在LaAlO3(LAO)衬底上制备了Ag掺杂的La2／3Ca1／3MnO3薄膜，X射线衍射分析表明所制备薄膜均沿[001]单取向生长，ω-θ摇摆曲线及AFM显示，所制备薄膜结晶质量较好，表面粗糙度较小，并且温度越高薄膜结晶质量越好。

摘要： 实现ZnO带隙的自由调控是实现其在光电器件领域应用的前提条件之一,因此ZnO的能带工程近年来成为宽禁带半导体领域的研究热点.阳离子取代的合金材料(如MgZnO、CdZnO)的研究一直是ZnO能带工程的研究重点,而近年来对阴离子取代的ZnOS合金开展了系统研究.系统优化了PLD法在蓝宝石单晶衬底上外延生长ZnOS薄膜工艺,研究并揭示了S含量与ZnOS薄膜的晶体结构、能隙宽度及光学性能间的依赖关系.研究阴阳离子复合取代的MgZnOS 及CdZnOS四元合金。四元合金相对于三元合金，增加了一个调节自由度，可望通过阴阳取代离子的协同作用增加取代原子在Zn0晶格中的溶解度，同时由阴阳取代离子分开调节带隙和晶格常数，从而实现对Zn0晶体结构和电子能带结构的更自由和更宽范围的调控。

摘要： 实现ZnO带隙的自由调控是实现其在光电器件领域应用的前提条件之一,因此ZnO的能带工程近年来成为宽禁带半导体领域的研究热点.阳离子取代的合金材料(如MgZnO、CdZnO)的研究一直是ZnO能带工程的研究重点,而近年来对阴离子取代的ZnOS合金开展了系统研究.系统优化了PLD法在蓝宝石单晶衬底上外延生长ZnOS薄膜工艺,研究并揭示了S含量与ZnOS薄膜的晶体结构、能隙宽度及光学性能间的依赖关系.研究阴阳离子复合取代的MgZnOS 及CdZnOS四元合金。四元合金相对于三元合金，增加了一个调节自由度，可望通过阴阳取代离子的协同作用增加取代原子在Zn0晶格中的溶解度，同时由阴阳取代离子分开调节带隙和晶格常数，从而实现对Zn0晶体结构和电子能带结构的更自由和更宽范围的调控。

摘要： 实现ZnO带隙的自由调控是实现其在光电器件领域应用的前提条件之一,因此ZnO的能带工程近年来成为宽禁带半导体领域的研究热点.阳离子取代的合金材料(如MgZnO、CdZnO)的研究一直是ZnO能带工程的研究重点,而近年来对阴离子取代的ZnOS合金开展了系统研究.系统优化了PLD法在蓝宝石单晶衬底上外延生长ZnOS薄膜工艺,研究并揭示了S含量与ZnOS薄膜的晶体结构、能隙宽度及光学性能间的依赖关系.研究阴阳离子复合取代的MgZnOS 及CdZnOS四元合金。四元合金相对于三元合金，增加了一个调节自由度，可望通过阴阳取代离子的协同作用增加取代原子在Zn0晶格中的溶解度，同时由阴阳取代离子分开调节带隙和晶格常数，从而实现对Zn0晶体结构和电子能带结构的更自由和更宽范围的调控。

摘要： 实现ZnO带隙的自由调控是实现其在光电器件领域应用的前提条件之一,因此ZnO的能带工程近年来成为宽禁带半导体领域的研究热点.阳离子取代的合金材料(如MgZnO、CdZnO)的研究一直是ZnO能带工程的研究重点,而近年来对阴离子取代的ZnOS合金开展了系统研究.系统优化了PLD法在蓝宝石单晶衬底上外延生长ZnOS薄膜工艺,研究并揭示了S含量与ZnOS薄膜的晶体结构、能隙宽度及光学性能间的依赖关系.研究阴阳离子复合取代的MgZnOS 及CdZnOS四元合金。四元合金相对于三元合金，增加了一个调节自由度，可望通过阴阳取代离子的协同作用增加取代原子在Zn0晶格中的溶解度，同时由阴阳取代离子分开调节带隙和晶格常数，从而实现对Zn0晶体结构和电子能带结构的更自由和更宽范围的调控。

摘要： 脉冲激光装置具备激光源、电光调制器、激光源驱动部、电光调制器驱动部、和对激光源驱动部及电光调制器驱动部进行控制的控制部，激光源输出由激光源驱动部进行了脉冲调制的脉冲激光，电光调制器输出由电光调制器驱动部对激光源所输出的脉冲激光进一步进行了脉冲调制的脉冲激光，控制部对激光源驱动部与电光调制器驱动部进行控制，以使得针对激光源的脉冲调制与针对电光调制器的脉冲调制，至少在激光源为接通状态的期间内电光调制器变成接通状态，并且在激光源为断开状态的期间内电光调制器至少1次变成接通状态，使针对电光调制器的脉冲调制的占空比高于针对激光源的脉冲调制的占空比。

摘要： 本发明涉及一种聚焦扫描式脉冲激光薄膜沉积装置以及沉积方法，利用汇聚透镜将准直激光汇聚到0.01mm量级，焦点落在靶材上，达到106W/cm2以上的平均功率密度和109W/cm2以上的峰值功率密度，使固态靶材表面原子气化从而实现样品处薄膜沉积。该设备通过X、Y方向的振镜，使光斑在靶材表面进行面扫描；再通过Z方向的实时调节以使靶面的光斑始终处于焦点位置。靶材位置也可放置多种材料，通过激光开合、输出功率与两组振镜及Z方向调节机构的联动，以实现多组分薄膜的沉积。激光器不使用有毒有害气体、沉积过程在时间上均匀性好，可以在不换靶的情况下自由调节所沉积样品的化学组分，提高了薄膜沉积的可控性与便捷性。

摘要： 本公开提供一种多腔复合脉冲激光器，包括：外谐振腔，包括：泵浦源，用于产生泵浦光；外腔增益光纤，用于吸收泵浦源产生的泵浦光并辐射外腔信号激光；外腔反射型布拉格光栅，用于将外腔信号激光在外腔反射型布拉格光栅内振荡，形成激光振荡；内谐振腔，包括：内腔增益光纤，用于吸收外腔信号激光，形成外腔脉冲激光；内腔增益光纤能够吸收外腔激光脉冲，并辐射内腔信号激光；内腔反射型布拉格光栅，用于将内腔信号激光在内腔反射型布拉格光栅内振荡，形成激光脉冲并输出。本公开提供一种多腔复合脉冲激光放大器。

摘要： 本发明涉及一种用于通过脉冲激光沉积来沉积材料的设备，所述设备包括：‑真空室；‑至少一个衬底支架及衬底，置于所述真空室内，所述衬底具有第一、第二和第三方向，这三个方向中每一个互相垂直，其中所述衬底能够通过所述衬底支架在所述第一方向上移动；‑靶支架及靶，置于所述真空室内，其中所述靶与所述衬底平行地基本在所述衬底的在所述第二方向上的全长上延伸；‑至少一束激光，用于照射所述靶，从而生成沉积在所述衬底上的材料的等离子体，其中所述激光在所述靶上的入射位置能够平行于所述衬底的所述第二方向移动；以及‑控制器，用于控制所述衬底支架的移动以及所述激光在所述靶上的所述入射位置的移动。

摘要： 本发明公开了一种提高脉冲激光沉积薄膜均匀性与面积的光学沉积系统与方法，该系统依次设置有真空腔体、透镜滑轨、反射镜滑轨和脉冲激光器。该系统能够制备大面积均匀薄膜的弊端。通过控制入射激光位置和脉冲发射的时机、数量，使得从靶材溅射出的等离子体均匀覆盖在基体表面，以获得大面积均匀的薄膜。

摘要： 本发明涉及薄膜材料制造技术领域，公开了一种脉冲激光沉积设备的镀膜控制方法、系统及脉冲激光沉积设备。所述脉冲激光沉积设备的镀膜控制方法，包括：在脉冲激光束进行镀膜时，实时采集真空腔内的辉羽图像；分析实时采集的辉羽图像中的聚焦光斑亮度数据、辉羽形状数据和激光光斑在靶材上的位置数据；将分析出的聚焦光斑亮度数据、辉羽形状数据和激光光斑在靶材上的位置数据与对应预设的标准数据进行匹配；以及根据匹配结果判断脉冲激光沉积设备的镀膜过程是否正常。本发明准确、方便快捷地实现了脉冲激光沉积设备镀膜过程的实时监控控制，提升了脉冲激光沉积设备镀膜的工作效率和稳定性。

摘要： 本发明涉及一种用于通过脉冲激光沉积来沉积材料的设备，所述设备包括：‑真空室；‑至少一个衬底支架及衬底，置于所述真空室内，所述衬底具有第一、第二和第三方向，这三个方向中每一个互相垂直，其中所述衬底能够通过所述衬底支架在所述第一方向上移动；‑靶支架及靶，置于所述真空室内，其中所述靶与所述衬底平行地基本在所述衬底的在所述第二方向上的全长上延伸；‑至少一束激光，用于照射所述靶，从而生成沉积在所述衬底上的材料的等离子体，其中所述激光在所述靶上的入射位置能够平行于所述衬底的所述第二方向移动；以及‑控制器，用于控制所述衬底支架的移动以及所述激光在所述靶上的所述入射位置的移动。

摘要： 本发明提供一种脉冲激光沉积系统及采用该系统来沉积薄膜的方法，该系统包括真空室、衬底承载架、非平衡磁极辅助靶、激光器和光路系统，其中衬底承载架设置在真空室的下侧，非平衡磁极辅助靶设置在真空室内且其面向真空室内侧的一面上设置有至少一对磁极且在该对磁极之间形成有非平衡磁场，在该对磁极之间设置有靶材，激光器产生的激光束通过光路系统聚焦至所述靶材表面，以在靶材上产生烧蚀等离子体，烧蚀等离子体在非平衡磁场的作用下做进一步电离并均匀分布至靶材表面。通过本发明，可以有效解决激光沉积薄膜的厚度及成分的均匀性。

摘要： 本实用新型涉及薄膜材料加工技术领域，公开了一种脉冲激光沉积设备的水冷循环装置及脉冲激光沉积系统。所述脉冲激光沉积设备的水冷循环装置，包括设置在脉冲激光沉积设备外壳上的第一水冷管以及水冷机，所述第一水冷管的端口与所述水冷机的第一端口密封连接，所述水冷机用于向所述第一水冷管循环输出水冷液。本实用新型的技术方案，使脉冲激光沉积设备的外壳及真空仓可持续降温，避免了薄膜被杂质污染和被氧化，提升了脉冲激光沉积设备薄膜制备的质量、重复性和稳定性。

摘要： 本实用新型涉及材料工程技术领域，且公开了一种用于脉冲激光沉积系统中可拆卸的激光入射密封窗口，包括闸板阀，所述闸板阀顶部的一侧设有真空密封口，所述真空密封口的顶部设有固定螺丝，所述真空密封口内腔的顶部设有激光入射玻璃窗口。该一种用于脉冲激光沉积系统中可拆卸的激光入射密封窗口，通过采用可拆卸的激光玻璃密封窗口装置，能够在不破坏真空腔体内部的气体氛围的条件下，将激光玻璃密封窗口拆卸下来，实现对玻璃窗口的高效清洁，解决了在脉冲激光沉积技术中存在的激光入射玻璃难以清洗的问题，确保了高质量的入射激光能透过玻璃窗口进入腔体。