脉冲激光沉积制备阻变存储器用NiO薄膜的研究

摘要

针对应用脉冲激光沉积技术在Pt/Ti/SiO2／Si上制备多晶NiO薄膜，研究了氧分压对薄膜微观结构、表面形貌和阻变性质的影响.结果表明，1 Pa氧分压下制备的NiO薄膜表面乎整度最高，表面均方根粗糙度为0.5l nm.Au/Ni/NiO/Pt结构的Ⅰ-Ⅴ测试曲线表明其forming电压为4.4 V，高低阻态比值为2个数量级，并表现出可逆的阻值翻转现象.