导电陶瓷

摘要： 可电火花加工的导电碳化硅(SiC)陶瓷不仅可以克服传统高电阻率SiC陶瓷难加工的突出缺点,而且能够保留传统高电阻率SiC陶瓷的其他优异性能,在结构陶瓷领域取代传统的高电阻率SiC陶瓷具有突出优势。本文阐述了粉末烧结制备氮掺杂导电SiC陶瓷的原理,归纳总结分析了其粉末烧结制备方法、烧结助剂的种类及其所获得SiC陶瓷的热电和力学性能。同时,探讨了SiC陶瓷的电性能影响因素,为调控SiC陶瓷的电性能提供了参考依据。最后,指出了氮掺杂导电SiC陶瓷面临的主要挑战,在未来研究中,应聚焦于发展新烧结技术与烧结添加剂体系以及澄清电性能调控机制,为制备电阻率可控的高性能导电SiC陶瓷奠定技术基础。

摘要： 以Ti3SiC2陶瓷粉和Cu粉作为原料,采用放电等离子烧结(SPS)工艺制备Ti3SiC2/Cu块体复合材料,研究不同Ti3SiC2添加含量及烧结温度对Ti3SiC2/Cu复合材料的组织、致密度和显微硬度的影响,研究SPS后Ti3SiC2/Cu复合材料的摩擦磨损性能.研究表明:采用SPS工艺制备的Ti3SiC2/Cu复合材料的Ti3SiC2在Cu中分布均匀,但随着Ti3SiC2含量的增加和烧结温度的升高,组织中出现团聚趋势,部分Ti3SiC2与Cu在界面处发生互溶现象,互溶增强了Ti3SiC2与基体的结合能力;Ti3SiC2含量和烧结温度对Ti3SiC2/Cu复合材料的致密度和显微硬度影响较大,当烧结温度为900°C时,Ti3SiC2/Cu复合材料的致密度达到99.7％,接近完全致密,Ti3SiC2/Cu复合材料的硬度较纯Cu提高了2倍左右;对于不同Ti3SiC2含量的Ti3SiC2/Cu复合材料的磨损机制也有所差异,当Ti3SiC2含量较低时(1vol％～5vol％),磨损机制为磨粒磨损和黏着磨损;随着Ti3SiC2含量的增加(10vol％～ 15v0l％),Ti3SiC2发挥了本身的自润滑性,Ti3SiC2/Cu复合材料的摩擦磨损性能有所改善,磨损机制转为犁削磨损和轻微黏着磨损;当Ti3SiC2含量增加到20vol％时,Ti3SiC2/Cu复合材料的磨损表面变得均匀而平整,表明Ti3SiC2/Cu复合材料的耐磨性提高.

摘要： 主要包括一下几个方面:超导陶瓷、压电陶瓷、导电陶瓷、介电陶瓷及敏感陶瓷等。稀土氧化物或经过加工处理的稀土精矿,可作为抛光粉广泛用于光学玻璃、眼镜片、显像管、示波管、平板玻璃、塑料及金属餐具的抛光;在熔制玻璃过程中,可利用二氧化铈对铁有很强的氧化作用,降低玻璃中的铁含量,以达到脱除玻璃中绿色的目的;添加稀土氧化物可以制得不同用途的光学玻璃和特种玻璃,其中包括能通过红外线、吸收紫外线的玻璃、耐酸及耐热的玻璃、防X-射线的玻璃等;在陶釉和瓷釉中添加稀土,可以减轻釉的碎裂性。

摘要： Tin O2n-1是一类应用前景广阔、极具研究价值的高性能导电陶瓷材料.它具有独特的物理、化学和电化学性能,晶体结构中的氧缺陷除了使其拥有自身的陶瓷特性外,还赋予其类金属的导电性能,打破了其因导电性能差而限制陶瓷材料的进一步推广应用.Ti4 O7是Tin O2n-1中导电性能最佳的材料,同时它还拥有诸多优异的性质如敏锐的光响应能力、较强的耐酸腐蚀性和较好的电化学稳定性,这些独特的性质引起了材料研究者对其的高度关注,并将其广泛应用于电化学、热电材料、储能材料、光催化降解等领域.目前,研究人员基于Ti4 O7的电子导电性和化学稳定性,主要将其用作电池电极和电催化载体材料,生产工艺已逐渐成熟并实现商业化.然而,Ti4 O7的生产制备工艺还存在许多不足.粒径大小、孔隙率和结晶程度等因素均会对Ti4 O7的性能产生影响.工业上主要采用高温还原钛源前驱体的方法,经过高温处理后的Ti4 O7通常存在颗粒团聚、烧结严重、比表面积大的问题,这严重影响了Ti4 O7的性能.为解决高温处理引发的固有问题,研究人员在制备工艺的设计优化方面不断进行尝试,在优化高温合成方法的同时,也探索了一些中低温合成制备途径,但依旧存在产物纯度不高、生产能耗大等问题,工艺细节还需深入研究.目前制备工艺的主要研究方向为:(1)提高制备产物的纯度;(2)细化晶粒,控制粉体粒径大小;(3)制备出形貌可控的粉体.针对Ti4 O7制备过程中出现的问题,研究人员不断引入新技术.在溶胶凝胶法的基础上利用静电纺丝技术制备出高比表面积的核壳结构中空管道材料,烧结温度降低了近20％;首次采用微波辐射的加热方式,微波下辐射30 min即可制备出形貌可控的Ti4O7.近两年,随着研究的不断深入,Ti4O7的各项优异性能得到了进一步开发和应用,在锂离子电池、锂硫电池、金属-空气电池、燃料电池中表现出更卓越的快速充放电性能和循环稳定性,并在储能材料、热电材料和光电材料等新能源领域得到了应用.本文介绍了Ti4 O7的组成结构和理化性质,归纳了Ti4 O7陶瓷的主要制备工艺及典型应用,分析总结了各类制备工艺的优缺点和应用需求,并对本领域今后的热点研究方向和发展趋势进行了展望,为Ti4 O7功能陶瓷材料的推广应用提供了参考.

摘要： 马里兰大学（University of Maryland）的研究人员设计了一款柔性锂离子导电陶瓷织物（flexible lithium—ion conducting ceramic textile），该材料是一款快速锂离子导体，电化学稳定性强，处理方法可扩展，可被整合到固态锂金属电池中。

摘要： 以金属硝酸盐为原料,柠檬酸和乙二醇为复合络合剂,聚乙烯毗咯烷酮(PVP)为纤维成型剂,采用改进的静电纺丝法制备了La0.5Sr0.5CoO3-δ (LSCO)纤维前驱体,经热处理后得到LSCO亚微米纤维。考察了纤维成型剂PVP的分子量、添加量,纺丝液金属离子浓度,前驱体热处理温度对静电纺丝过程和物相结构的影响,采用X射线衍射仪、扫描电镜及EDS能谱面扫表征了载银LSCO纤维的物相结构、形貌和元素分布。结果表明:采用平均分子量为1,300,000的PVP配置纺丝成型剂,前驱体纺丝液中PVP的加入量为3.5 wt%,金属离子浓度为0.125 mol/L时,纺丝效率最高,能达到9 ml/h。获得的LSCO前驱体纤维在800°C热处理下能够获得直径为0.5~2 μm的LSCO陶瓷纤维。

摘要： 导电红外辐射陶瓷基板是以特定的工艺技术,在陶瓷基料中掺杂多种化学元素和化合物,经高温烧结后形成具备红外发热功能的新型陶瓷电热转换元件.该陶瓷电热红外板为层状结构,上下表层为绝缘保护层,中间为电热陶瓷导体.热量主要以红外线(波长2.5～15μm)发射.研究探讨了陶瓷基体材料的组成特性和工艺技术对辐射基板电气性能影响等,研制成功了电热效率高、红外辐射性能好、耐温耐腐蚀、抗氧化等特性的电热导电陶瓷基板.

摘要： 马里兰大学的研究人员设计出一款柔性锂离子导电陶瓷织物,该导电陶瓷织物基于石榴石型导体（garnet type conductor）设计制作,保留了原始模板（original template）的物理特性。

摘要： 采用固相法制备了SnO2导电陶瓷,研究了Li2CO3掺杂量对SnO2导电陶瓷的导电性能和体积密度以及微观结构的影响.结果表明:Li2CO3的掺杂不改变SnO2导电陶瓷的晶体结构,在一定的掺杂范围内有利于晶体的生长.随着Li2CO3掺杂量的增加,SnO2导电陶瓷的电阻率先降低,然后升高;体积密度先增加然后减小.当烧结温度为1 350°C,Li2CO3掺杂量为质量分数0.7％时,SnO2导电陶瓷的综合性能较好,体积密度为5.027 g/cm3,电阻率为5.638×10-3Ω·cm.

摘要： 针对目前市场上电极浆料的基本状况,提出了一种可以替代贵金属浆料的银/导电陶瓷复合电极浆料,概述了银/导电陶瓷复合电极浆料的基本情况及本课题组的研究结果.

摘要： 采用Ba(OH)2·8H2O,Pb(CH3COO)2·3H2O和KOH为原料,柠檬酸和乙二胺四乙酸(EDTA)为复合螯合剂,采用溶胶凝胶工艺制备了K掺杂BaPbO3(BPO)陶瓷,讨论了不同的K受主掺杂浓度对BPO导电陶瓷的电导率和阻温特性的影响.实验结果表明:采用Sol-Gel法获得了均一相、化学计量比的K掺杂BPO陶瓷;K-BPO陶瓷的室温电阻率随K掺杂量呈倒"S"形状变化,当掺杂量为3％～5％(摩尔分数)时室温电阻率最低,约为4.5×10-4Ω·cm;另外,与BaTiO3系PTC陶瓷不同,PBO陶瓷引入受主杂质K后,不但可以降低材料的室温电阻率,而且可以使材料呈现出一定的PTC效应.

摘要： 本文以SiO(方石英和石英)作为绝缘的高膨胀性基体材料,并以石墨、MoSi作为导电性粒子,经1150°C~1350°C烧结3h制得高膨胀陶瓷-导电陶瓷陶瓷复合材料.研究结果表明,当导电相的含量在某个特定的范围内时,其室温电阻率发生急剧的变化,变化程度达4~6个数量级.其中当SiO为方石英相时,陶瓷复合材料在240°C左右具有PTC效应,其PTC效应的突跃达2~2个数量级;当SiO为石英相时,陶瓷复合材料在580°C左右具有PTC效应,其PTC效应的突跃达1~2个数量级.

摘要： 自Tarascon和Armand对锂电池的发展进行了历史性的回顾，认为制备和开发具有高离子电导率的固体膜作为电解质，将导致新型的锂电池设计和应用以来，用于锂及锂离子电池的无机固体电解质得到了迅速的发展。其中基于LiTi2(PO4)3 (LTP)结构，类似于NASICON-型结构的陶瓷离子导体居于最有希望的基于氧化物的固体锂离子导体之列。本文采用稀土元素Y和Gd部分代替Al，对LATP进行改性，制备Li1+x+yAlxMyTi2-y-x(PO4)3 ，其中M=Y、Gd，x+y=0.275，x=0.150，y=0.125。以期得到Li+电导率达到10-3 S/cm数量级的全固态陶瓷电解质材料。

摘要： 三元层状碳化物钛铝碳(Ti3AlC2)材料不仅具有陶瓷材料的轻比重,高强度和耐高温特性,同时具有金属的导电性。导热性,抗热震,可塑性和易加工性,因此适用于高速滑动接触导电的构件。本文主要研究了Ti3AlC2材料摩擦学行为及机理。用低碳钢盘为对摩体,试验在盘一块式摩擦试验机上进行；滑动速度为20～60 m/s,法向压强为0.2～0.8 MPa。结果表明,Ti3AlC2材料具有优异的摩擦学特性。在20 m/s滑动速度下其摩擦系数只有0.18,并且随着滑动速度的增加而降低,当滑动速度为60 m/s时甚至达到0.1之低。Ti3AlC2块的磨损率在20 m/s时从0.2 MPa下的1.25×10-6mm3/Nm逐步增大到0.8 MPa下的2.35×10-6mm3/Nm.而当速度增大到40 m/s和60m/s时,其磨损率基本保持在2.5×10-6mm3/Nm左右。如此低的摩擦系数及磨损率被证实与Ti3AlC2滑动表面的自润滑机制有关。SEM观察结果显示,在试验范围内的所有滑动速度和法向压强下,Ti3AlC2块及低碳钢盘摩擦表面都有明显的摩擦氧化层存在。EDS分析结果表明,该摩擦氧化层由TiAl和Fe的氧化物组成。摩擦氧化层的厚度约为0.5μm。此摩擦层在摩擦过程中呈粘性,其硬度远远小于Ti3AlC2基体,在摩擦过程中起到润滑剂的作用。

摘要： 研究不同MoSi2含量对Si3N4-MoSi2复合陶瓷导电性能的影响，并对导电机制进行分析。Si3N4-MoSi2复合陶瓷的电阻率随着MoSi2含量增加而降低，呈“S”型曲线。当MoSi2含量为30%~35％(体积分数，下同)时，电阻率由1010Ω·cm骤降至10-3Ω·cm．MoSi2作为导电相在复合陶瓷中起导电通道作用，当其含量超过30％时，导电相形成连通网络结构，使复合陶瓷电阻率迅速下降。复合陶瓷中有新相Mo5Si3生成，Mo5Si3相同样起导电相作用。

摘要： 研究不同MoSi2含量对Si3N4-MoSi2复合陶瓷导电性能的影响，并对导电机制进行分析。Si3N4-MoSi2复合陶瓷的电阻率随着MoSi2含量增加而降低，呈“S”型曲线。当MoSi2含量为30%~35％(体积分数，下同)时，电阻率由1010Ω·cm骤降至10-3Ω·cm．MoSi2作为导电相在复合陶瓷中起导电通道作用，当其含量超过30％时，导电相形成连通网络结构，使复合陶瓷电阻率迅速下降。复合陶瓷中有新相Mo5Si3生成，Mo5Si3相同样起导电相作用。

摘要： 研究不同MoSi2含量对Si3N4-MoSi2复合陶瓷导电性能的影响，并对导电机制进行分析。Si3N4-MoSi2复合陶瓷的电阻率随着MoSi2含量增加而降低，呈“S”型曲线。当MoSi2含量为30%~35％(体积分数，下同)时，电阻率由1010Ω·cm骤降至10-3Ω·cm．MoSi2作为导电相在复合陶瓷中起导电通道作用，当其含量超过30％时，导电相形成连通网络结构，使复合陶瓷电阻率迅速下降。复合陶瓷中有新相Mo5Si3生成，Mo5Si3相同样起导电相作用。

摘要： 研究不同MoSi2含量对Si3N4-MoSi2复合陶瓷导电性能的影响，并对导电机制进行分析。Si3N4-MoSi2复合陶瓷的电阻率随着MoSi2含量增加而降低，呈“S”型曲线。当MoSi2含量为30%~35％(体积分数，下同)时，电阻率由1010Ω·cm骤降至10-3Ω·cm．MoSi2作为导电相在复合陶瓷中起导电通道作用，当其含量超过30％时，导电相形成连通网络结构，使复合陶瓷电阻率迅速下降。复合陶瓷中有新相Mo5Si3生成，Mo5Si3相同样起导电相作用。

摘要： 采用溶胶凝胶法制备透明导电膜,并考察了Sb的掺杂量、热处理温度对薄膜方块电阻以及对薄膜透光率的影响.在SnO2掺杂1.0﹪(wt)Sb能显著提高薄膜的电导性,制得的透明导电膜表面电阻率最低为ρ=16×10-3Ω·cm,且薄膜的连续性、致密性好,透光率达到90﹪以上.

摘要： 本发明提供一种能够提供膏的聚合物，该膏的触变性优异，在印刷时无拉丝及渗出，热分解性也优异。所述聚合物中，式(1)所表示的单体(A)的摩尔比为10摩尔％～100摩尔％，能够与单体(A)共聚的其他单体(B)的摩尔比为0～90摩尔％，所述聚合物的重均分子量为10,000～1,000,000。[化学式1]R1表示氢原子或甲基，R2表示碳原子数为1～18的烷基或碳原子数为1～18的羟基烷基，A表示碳原子数为1以上、10以下的亚烷基，X表示0或1，Y1为选自由式(2)及式(3)的羟基氨基甲酸乙酯结构组成的组中的一种以上的结构。

摘要： 公开了一种用于将电子部件固定在电路板上或者用于连接电极的导电胶、使用该导电胶的导电结构、电子元件、模块、线路板、电气连接方法、线路板的制造方法和陶瓷电子部件(统称为导电胶等)。使用导电胶的电气连接由于简便而适用于各种领域。通过导电胶中导电颗粒间的接触而确保导电胶的导电性。导电胶加热时通常会产生应力,当应力释放时导电颗粒之间的接触会部分受损,产生高电阻问题。本发明导电胶的特征在于它含有导电颗粒、加热或减压时会发泡的发泡材料和树脂,即使发泡材料发泡后也不会损害其导电性。该导电胶具有良好的抗应力性并能进行低电阻的电气连接。

摘要： 本发明提供了一种半导电陶瓷，其绝缘强度为800V/mm或更大，并且室温的电阻率为100Ω·cm或更小，室温的电阻率大致上没有历时变化。半导电陶瓷由经烧结的含钛酸钡的半导体材料制成，其中半导电陶瓷的平均颗粒尺寸为1.0μm或更小，在陶瓷的表面处由XPS确定由BaCO

摘要： 本发明公开了一种导电陶瓷和制备该陶瓷的方法及该陶瓷的应用，导电陶瓷包括导电剂、陶瓷复合材料，以及介质材料；导电陶瓷按重量份计含有导电剂5～20份，陶瓷复合材料55～70份，介质材料5～15份，本导电陶瓷用于酸性载体负载，对活性物质和强电解质具有极强的吸附力和耐腐蚀性，导电率是纯金属钛的一倍，比石墨高两个数量级，以此材料制取的导电陶瓷格栅取代传统的铅基板栅，仅保持传统铅电池活性物质的“单物质双极盐化”的优良特性和成熟工艺，使其整电池比能量，充放电时间，深循环寿命、费/效比等参数均优于镍金属氢化物电池。

摘要： 本申请提供一种导电陶瓷材料及其制备方法和导电陶瓷体及其制备方法。该导电陶瓷材料的制备方法包括：获取重量百分数为92.0～99.0％的SnO

摘要： 本申请提供一种导电陶瓷材料及其制备方法和导电陶瓷体及其制备方法。该导电陶瓷材料的制备方法包括获取LaCl

摘要： 本申请提供一种导电陶瓷材料及其制备方法和导电陶瓷体及其制备方法。该导电陶瓷材料的制备方法包括：将含La化合物、含Sr化合物及含Mn化合物、添加剂按照重量配比进行混合研磨，以制得料浆，其中，含La化合物、含Sr化合物及含Mn化合物中的至少一种包含O；对料浆进行烧结以获得导电陶瓷材料；导电陶瓷材料的成分包含La、Sr、Mn及O元素。该方法所制得的导电陶瓷材料的电阻率范围为1×10

摘要： 本发明提供一种导电陶瓷及利用碳化硅制备导电陶瓷的方法。本发明的导电陶瓷包括碳化硅、二硼化钽、氧化钇、碳化钛、助剂，该产品性能稳定，能够满足导电陶瓷的各项性能要求，丰富了市场需求。本发明的利用碳化硅制备导电陶瓷的方法良品率高，能够有效降低生产成本。

摘要： 本发明涉及陶瓷制备技术领域，具体为一种氮化硅基导电陶瓷的制备方法及氮化硅基导电陶瓷刀具的成型方法。本发明通过添加一定量由MO和稀土氧化物组成的烧结助剂，可有效优化氮化硅基导电陶瓷的微观结构，从而显著提高氮化硅基导电陶瓷的韧性和强度。而添加一定量的导电相，不仅有助于提高氮化硅基导电陶瓷的导电率，可实现使用电火花加工技术加工氮化硅基导电陶瓷，并使应用该种氮化硅基导电陶瓷制作的陶瓷刀具适宜PVD涂层工艺，此外还起到增韧补强的作用。添加一定量的金属相粘结剂，有助于提高氮化硅基导电陶瓷的综合性能。使用本发明所述的氮化硅基导电陶瓷和成型方法制作刀具，可制备出形状复杂的刀具，并可获得性能更优异的氮化硅陶瓷刀具。

摘要： 本发明提供了一种半导电陶瓷,其绝缘强度为800V/mm或更大,并且室温的电阻率为100Ω·cm或更小,室温的电阻率大致上没有历时变化。半导电陶瓷由经烧结的含钛酸钡的半导体材料制成,其中半导电陶瓷的平均颗粒尺寸为1.0μm或更小,在陶瓷的表面处由XPS确定由BaCO