SiC
SiC的相关文献在1978年到2023年内共计7419篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、化学工业、一般工业技术
等领域,其中期刊论文1447篇、会议论文64篇、专利文献5908篇;相关期刊524种,包括材料导报、材料工程、现代材料动态等;
相关会议47种,包括第六届全国塑料光纤、聚合物光子学会议、2005年国际耐火材料技术、市场研讨会、第十一次全国焊接会议等;SiC的相关文献由11719位作者贡献,包括张玉明、徐现刚、陈秀芳等。
SiC
-研究学者
- 张玉明
- 徐现刚
- 陈秀芳
- 杨为佑
- 成来飞
- 胡小波
- 郭辉
- 陈照峰
- 汤晓燕
- 陈善亮
- 李贺军
- 高凤梅
- 张立同
- 王军
- 宋庆文
- 王浩
- 黄剑锋
- 王霖
- 刘俊鹏
- 曹丽云
- 楠一彦
- 彭燕
- 于新民
- 张义门
- 贾仁需
- 大黑宽典
- 李翠艳
- 郝跃
- 黄政仁
- 欧阳海波
- 熊翔
- 简科
- 刘荣军
- 付前刚
- 张锐
- 张长瑞
- 邓承继
- 龟井一人
- 祝洪喜
- 刘伟
- 刘新宇
- 张艺蒙
- 王曦
- 白云
- 杨昆
- 杨银堂
- 王鹏
- 雷天民
- 张波
- 杨锐
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王泽政;
常庆明;
洪守坤;
陈笛
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摘要:
基于fluent软件,采用VOF和DPM模型对在搅拌作用下SiC颗粒增强铝基复合材料中铝熔体的流场分布和SiC颗粒在流场内部的空间分布过程进行数值模拟,分析搅拌过程中流场速度和叶片浸入深度对SiC颗粒在铝熔体中分散的影响.结果表明,容器中流场的最大速度分布在桨片叶端,随着搅拌桨转速增加,流场中径向方向和轴向方向的速度均不断增大,随着叶片浸入深度的增加,靠近容器底部和侧壁的流场速度逐渐增大,较大的流场速度有利于SiC颗粒在铝熔体中的分散;当叶片浸入深度一定时,自由液面的漩涡高度和深度随搅拌桨转速的加快而增加,当漩涡底部到达搅拌桨上端时,SiC颗粒开始进入流场内部扩散,在流场内上、下涡流的带动下实现均匀分散.
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张海涛;
鲍岩;
杨峰;
孙海琦;
董志刚;
康仁科
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摘要:
针对SiC纤维增强SiC陶瓷基复合材料(SiC;/SiC)存在加工质量差、材料去除困难等问题,开展金刚石砂轮超声辅助螺旋磨削SiC;/SiC陶瓷基复合材料试验,研究其出口质量、孔壁形貌及孔壁表面粗糙度。结果表明:与传统制孔相比,超声辅助螺旋磨削制孔出口处材料无大面积崩边;砂轮磨削速度方向与纤维方向的夹角θ的周期性变化导致孔壁表面形貌呈现规律性变化。当θ在0°/180°时,纤维与基体多发生脱黏现象;当θ在45°时,纤维多发生剪切断裂;当θ在90°时,纤维多发生挤压断裂;当θ在135°时,纤维既发生剪切断裂又发生挤压断裂;孔壁表面粗糙度Sa在θ为90°时最低,在θ为135°时最高。在一定范围内,表面粗糙度Sa随着超声振幅的增大而降低,最大降幅为38.7%;随着进给速度的增大而升高,最大增幅为39.3%。
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琚印超;
刘小勇;
王琴;
张伟刚;
魏玺
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摘要:
采用前驱体浸渍热解(PIP)工艺制备了ZrC-SiC、ZrB_(2)-ZrC-SiC和HfB_(2)-HfC-SiC复相陶瓷基复合材料,复合材料中的超高温陶瓷相均呈现出亚微米/纳米均匀弥散分布的特征,对比研究了上述材料在大气等离子和高温电弧风洞考核环境中的超高温烧蚀行为。研究结果表明,超高温复相陶瓷基复合材料相比传统的未改性SiC基复合材料,烧蚀后复合材料表面原位生成了固液两相致密氧化膜,两相协同作用实现了抗冲蚀和抗氧化的效果,对液相SiO_(2)的流失起到了阻碍作用,提升了材料的超高温烧蚀性能。在此基础上,提出了设计超高温复相陶瓷基复合材料应考虑的因素。上述研究结果对陶瓷基复合材料在超高温有限寿命领域的应用具有一定的指导意义。
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马英纯;
罗茜;
赵科;
刘金铃
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摘要:
研究了一种通过室温球磨和低温球磨相结合制备SiC/Mg非均匀镁基纳米复合材料的方法。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等手段对非均匀复合材料的微观结构进行分析,通过准静态压缩测试了SiC/Mg非均匀镁基纳米复合材料的性能,并对其强化机制和增韧机制进行了初步分析。研究结果表明,延长低温球磨时间可以减小软相的尺寸,同时细化硬相中的晶粒尺寸,从而达到提升复合材料强度和失效应变的效果。因此,通过调整球磨工艺可以优化SiC/Mg非均匀镁基纳米复合材料的微观结构和力学性能。
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梁华卓;
付有志;
何俊峰;
徐兰英;
阎秋生
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摘要:
基于芬顿反应的磁流变化学复合抛光加工原理,对单晶SiC基片进行磁流变化学复合抛光试验,研究工艺参数对其抛光效果的影响。结果表明:随着金刚石磨粒粒径的增大,材料去除率先增大后减小,而表面粗糙度先减小后增大;随着磨粒质量分数的增大,材料去除率增大,而表面粗糙度先减小后增大;当羰基铁粉质量分数增大时,材料去除率增大,而表面粗糙度呈先减小后增大的趋势;随着氧化剂质量分数增大,材料去除率先增大后减小,而表面粗糙度呈现先减小后增大的趋势;加工间隙对材料去除率的影响较大,加工间隙为1.0 mm时,加工表面质量较好;随着工件转速和抛光盘转速增大,材料去除率均先增大后减小,表面粗糙度均先减小后增大。获得的优化的工艺参数为:磨粒粒径,1.0μm;磨粒质量分数,5%;羰基铁粉质量分数,25%;过氧化氢质量分数,5%;加工间隙,1.0 mm;工件转速,500 r/min;抛光盘转速,20 r/min。采用优化的工艺参数对表面粗糙度约为40.00 nm的单晶SiC进行加工,获得表面粗糙度为0.10 nm以下的光滑表面。
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康庆;
李峰;
邢杰;
章玄
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摘要:
SiC器件作为宽禁带半导体器件代表,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率、高电压、高频率和高抗辐照等优越的物理和电气特性,在卫星电源系统中具有巨大的应用潜力。介绍了卫星电源系统发展的现状与趋势,论述了当前国际宇航研究机构对SiC功率器件在卫星电推进系统中应用的研究,并提出SiC器件在卫星中应用的单粒子需求趋势。分析认为SiC功率器件今后的研究重点在于单粒子失效机理的研究、辐照加固工艺完善以及器件改进。
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闫晓宇;
胡培培;
艾文思;
翟鹏飞;
赵培雄;
李宗臻;
刘杰
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摘要:
针对近年来出现的新型宽禁带半导体材料和器件,介绍了SiC,GaN,Ga_(2)O_(3)材料和器件重离子辐照效应的一些研究成果:SiC材料对重离子辐照不敏感,但SiC器件在高压工作条件下易发生重离子单粒子效应;GaN材料有较好的抗低能重离子辐照特性,但对快重离子辐照,易发生辐照损伤,影响GaN器件性能;Ga_(2)O_(3)材料快重离子辐照下易发生结构损伤,影响Ga_(2)O_(3)器件性能。同时着重阐述了SiC器件重离子辐照响应特性与失效机理,以及GaN器件电学性能退化与材料结构损伤之间关系。
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白凯伦;
张欢;
尹健;
熊翔;
张红波;
谢冯旻煜
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摘要:
以炭纤维无纬布/网胎针刺整体毡为增强体,先采用化学气相渗透法(chemical vapor infiltration,CVI)沉积热解炭制备C/C多孔体,之后使用CVI沉积SiC和压力熔渗Cu制备C/C-SiC-Cu复合材料。研究C/C多孔体密度和SiC含量(体积分数Φ,下同)对C/C-SiC-Cu复合材料弯曲性能的影响。结果表明,随着C/C多孔体密度和SiC含量增加,热解炭和SiC在炭纤维周围形成具有较高结合强度的界面,二者的增强作用得以充分发挥,C/C-SiC-Cu复合材料的抗弯强度显著增加。弯曲断裂时,热解炭和SiC基体对炭纤维的拔出有抑制作用,C/C-SiC-Cu复合材料的载荷−位移曲线呈起伏台阶式下降,表现出明显的假塑性断裂特征。
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郑彩华
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摘要:
笔者主要研究了表面改性对注浆成形SiC料浆固相含量、流变性和成形坯体密度与结构的影响,并进行机理分析。结果表明:表面改性对注浆成形SiC料浆的固相含量和粘度及成形坯体密度与结构均有较大影响,并制备出粘度较低、流动性较好、固相含量为73 vol%的注浆成形料浆,成形坯体密度达到2.698 g/cm^(3),且SEM显示坯体结构均匀。研究表明:改性剂与分散剂的良好作用能大大地改善粉体的分散性,从而提高料浆成形性能。
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周丹晴;
李东彧;
陈艺;
李越;
杨童;
程浩;
吴旻剑;
李昱泽;
晏炀;
夏亚东;
林晨;
颜学庆;
赵子强
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摘要:
通过辐照核能材料SiC,表征激光加速质子束连续宽能谱、短脉冲和高瞬态流强的特点。将SiC样品放置在距离靶体4 cm处,连续进行300发满足指数能谱分布的能量为1~4.5 MeV的激光加速宽能谱连续质子束辐照。表面和截面拉曼光谱显示辐照后的SiC散射峰强度减小,且拉曼光谱截面测量的整体趋势可以与SRIM模拟的能谱加权后的深度能损分布对应,从而通过实验对能量连续分布的激光加速质子束进行表征。此外,实验结果显示,激光加速质子束的短脉冲特性可在SiC表面产生相当高的瞬时束流密度。这种快速的宽能谱辐照为模拟反应堆中子辐照提供了可能性。