固体电子学

摘要： 何茗教授,1975年7月生,1999年获电子科技大学电子材料与元器件专业学士学位,2004年获电子科技大学微电子与固体电子学专业硕士学位,2011年获电子科技大学微电子与固体电子学专业博士学位。2011年11月进入电子科技大学博士后流动站进修,2014年4月出站。目前为电子工程学院教授。担任《Physics D》《Solid State Sciences》《Materials Science and Engineering B》等国际学术期刊审稿人。

摘要： 研究了垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率器件在高温和直流应力下的退化和失效过程及机理.测量了栅极阈值电压[UGS(th)]、栅极-源极漏电流(IGSS)、静态漏极-源极通态电阻[RDS(on)]、漏极-源极击穿电压(UDSS),发现RDS(on)在应力时间672～864 h范围内开始变大直至测试结束,其他各项电学参数总体保持稳定.测量了器件结到热沉的热阻(RTH),RTH保持稳定.研究表明器件的栅极、漏极、器件内部结构和焊料、管壳基本不受应力影响.对烧毁的器件进行微区分析,扫描电镜图片表明损坏区域在源极上表层和源极引线位置,和电学参数、RTH值的分析相一致.RDS(on)的增加是由包括引线在内的源极封装和源极欧姆接触电阻增大导致,超过阈值时将导致器件烧毁.研究结果有助于提高恶劣工况下的VDMOS功率器件可靠性.

摘要： 东南大学电子科学与工程学院电子科学与技术专业创建于1961年，是我国最早建立的电子类专业之一。专业所在的电子科学与技术一级学科2007年被批准为国家重点学科，下设物理电子学、电路与系统、微电子与固体电子学等二级学科。拥有电子科学与技术一级学科博士点，并设有博士后流动站。该学科在2017年入选“双一流”建设学科，在全国第四轮学科评估中被评为“A”。

摘要： 王展,微电子与固体电子学硕士,专注于集成产品研发及营销传播平台构建,具有近20年的营销及管理实战经验。他曾任瑞同科技传媒CEO、华人知名管理咨询专家余世维特别研究助理、SEMI国际半导体设备与材料协会中国区战略市场总监、复旦微电子集团总经理助理等职务,

摘要： 本刊系南京电子器件研究所主办的全国性学术期刊(双月刊)。主要刊登固体物理、宽禁带半导体、射频/微波器件和电路、纳米技术、MEMS、固体光电和电光转换器件、OLED和各种固体电子器件及其应用等文章。设有'学术论文'、'研究报告'、'研究简讯'、'会议报道'等栏目。介绍科研创新成果,探讨不同学术见解,交流工作经验,报道研究动态。

摘要： 史晓凤，女，1987年11月生，安徽涡阳人。2008年本科毕业于阜阳师范学院物理系，获学士学位。2014年9月毕业于厦门大学物理与机电工程学院微电子与固体电子学专业（硕博连读），获工学博士学位。2014年9月至今在阜阳师范学院计算机与信息工程学院从事教学科研工作。

摘要： 正英国罗彻斯特大学的研究者们发现原子厚度半导体的缺陷可以产生发光的量子点。这种量子点是单一光子的来源,这种现象对于量子光子学和固体电子学的联合研究十分有益——就是所谓的集成光子学。在《Nature Nanotechnology》发表的一篇文章中,罗彻斯特大学的研究者发现可以将二硒化钨注入原子厚度的半导体内,作为固态量子点的生长平台。他们表示产生量子点的缺陷不会抑制半导体的电学或光学特性,并且可以外加电场或磁场来控制这些缺陷。在原子厚度的二硒化钨中生成量子点比在传统材料如砷化铟中生成量子点要容易许多,这是一个显著的优势。"我们采用墨晶,并一层一层的进行剥

摘要： 本发明涉及一种直接接合用在电子学、光学或光电子学中的两个基板(1、2)的正面(11、21)的方法，所述两个基板中的至少一个基板包括在该基板的正面(11、21)上或在该正面附近延伸的半导体材料层(1、13、2、20、23)。所述方法的特征在于其包括以下步骤：至少使所述包括半导体的基板的所述正面(11、21)、或者如果所述两个基板都包括半导体的话则使所述两个基板的所述正面(11、21)中的至少一个正面，在包含氢气和/或氩气的气体环境中在900°C至1200°C范围内的温度下进行持续时间至少为30秒的接合前预备热处理；以及将所述用于接合在一起的两个基板(1、2)的各自的正面(11、21)直接接合在一起。

摘要： 本发明涉及一种加工基片的方法，该基片包括一构成机械支承的一层来承载的薄层；这一加工方法特别适用于光学、电子学或光电子学器件。根据本发明的方法包括以下步骤：自源基片(6)上分离一层材料，以形成薄层(2)；而后在薄层(2)上沉积材料制备一厚层(4)，以形成构成机械支承的所述层。

摘要： 提供了导电的薄的光滑膜，其包含银(Ag)和导电金属如铝(Al)、钛(Ti)、镍(Ni)、铬(Cr)、金(Au)、镁(Mg)、钽(Ta)、锗(Ge)或其组合。在其他替代变化方案中，提供了导电的薄的光滑膜，其包含金(Au)或铜(Cu)和导电金属如铝(Al)、钛(Ti)、镍(Ni)、铬(Cr)、金(Au)、镁(Mg)、钽(Ta)、锗(Ge)或其组合。这种材料具有优良的导电性，可以是超薄的、柔性的、透明的，并且具有低光损耗。还提供了并入有这种膜的组合件和制造该膜的方法。这些组合件可以用于具有高功率转化效率的光伏和发光器件或者表现出高透射率和均匀响应的光学超材料，等等。

摘要： 本发明属于信号处理技术领域，具体涉及一种用于核谱学及核电子学的数字符合多道系统，利用ADC采样，将每个通道采集到的脉冲信号波形由信号处理器实时处理，得到该脉冲信号的幅度和到达时刻并保存到计算机中；测量结束后，从计算机保存的数据中读出每个通道的每个脉冲的脉冲幅度和到达时刻，然后根据延迟时间谱线选择延迟时间和符合分辨时间参数，用计算机软件挑选出多个通道之间在符合分辨时间之内的符合脉冲信号，形成多参数核谱。本发明提供的数字符合多道系统具有结构简单、成本低廉、信号采集和处理效率高等优点。

摘要： 提供了用于生成包括空中消防符号的航空电子学显示的航空电子学显示系统和方法，其增强了在空中消防操作期间的飞行员态势感知和决策。在实施例中，航空电子学显示系统包括航空电子学显示设备、配置成检测飞行器外部的热像数据的热像传感器、以及可操作地耦合到航空电子学显示设备和热像传感器的控制器。在航空电子学显示系统的操作期间，控制器至少部分地基于由热像传感器收集的热像数据来编制飞行器附近受火灾影响的区域的火灾图。控制器还在航空电子学显示设备上生成第一航空电子学显示，所述第一航空电子学显示包括表示热像传感器的视场（FOV）和热像传感器的FOV外部的火灾图的部分的图形。

摘要： 本发明涉及一种直接接合用在电子学、光学或光电子学中的两个基板(1、2)的正面(11、21)的方法，所述两个基板中的至少一个基板包括在该基板的正面(11、21)上或在该正面附近延伸的半导体材料层(1、13、2、20、23)。所述方法的特征在于其包括以下步骤：至少使所述包括半导体的基板的所述正面(11、21)、或者如果所述两个基板都包括半导体的话则使所述两个基板的所述正面(11、21)中的至少一个正面，在包含氢气和/或氩气的气体环境中在900°C至1200°C范围内的温度下进行持续时间至少为30秒的接合前预备热处理；以及将所述用于接合在一起的两个基板(1、2)的各自的正面(11、21)直接接合在一起。

摘要： 本发明涉及一种加工基片的方法，该基片包括一构成机械支承的一层来承载的薄层；这一加工方法特别适用于光学、电子学或光电子学器件。根据本发明的方法包括以下步骤：自源基片(6)上分离一层材料，以形成薄层(2)；而后在薄层(2)上沉积材料制备一厚层(4)，以形成构成机械支承的所述层。

摘要： 本发明公开了一种PET电子学数据处理方法及PET电子学系统。本方法为：1)利用FPGA接收模拟ASIC芯片的配置数据，配置该模拟ASIC芯片的工作参数，使ASIC芯片的工作状态符合PET成像电子学处理的要求；2)利用FPGA接收模拟ASIC芯片的调试参数，配置ASIC芯片内部要输出的信号测试点，如果ASIC芯片内部的要输出信号测试点的输出信号满足PET电子学处理的要求则进行步骤3)；3)将ASIC芯片串行输出的数据转换为N路并行数据，然后提取每路的电荷、时间数据并转换成二进制的电荷、时间数据，然后对N路电荷、时间数据进行N：1的数据预处理后输出。本发明保证了ASIC工作正常可控且可靠。

摘要： 本发明涉及一种包含一个重复单元的聚合物，每个重复单元里包含一个或多个重复结构。本发明同时还涉及包含有聚合物、富勒烯、第二聚合物或小分子的制剂。本发明同时涉及包括含有该制剂的涂层和印刷油墨的有机电子(OE)装置，其中有机电子装置可以是有机场效应晶体管(OFET)装置或有机光伏(OPV)装置。本发明同时还涉及单体、聚合物以及所产生的化合物的合成。

摘要： 提供了导电的薄的光滑膜，其包含银(Ag)和导电金属如铝(Al)、钛(Ti)、镍(Ni)、铬(Cr)、金(Au)、镁(Mg)、钽(Ta)、锗(Ge)或其组合。在其他替代变化方案中，提供了导电的薄的光滑膜，其包含金(Au)或铜(Cu)和导电金属如铝(Al)、钛(Ti)、镍(Ni)、铬(Cr)、金(Au)、镁(Mg)、钽(Ta)、锗(Ge)或其组合。这种材料具有优良的导电性，可以是超薄的、柔性的、透明的，并且具有低光损耗。还提供了并入有这种膜的组合件和制造该膜的方法。这些组合件可以用于具有高功率转化效率的光伏和发光器件或者表现出高透射率和均匀响应的光学超材料，等等。