...
机译:硅晶片具有刻面依赖性电导率
Natl Tsing Hua Univ Dept Chem Hsinchu 30013 Taiwan;
Natl Tsing Hua Univ Dept Mat Sci &
Engn Hsinchu 30013 Taiwan;
Natl Tsing Hua Univ Dept Mat Sci &
Engn Hsinchu 30013 Taiwan;
Natl Tsing Hua Univ Dept Chem Hsinchu 30013 Taiwan;
band bending; electrical conductivity; facet-dependent properties; field-effect transistors; silicon;
机译:硅晶片具有刻面依赖性电导率
机译:锗晶片具有刻面依赖的电导率性能
机译:用可调谐形状合成Ag3PO4晶体,用于刻面依赖性光学性质,光催化活性和导电性检查
机译:4'-烯丙氧基联苯-4-醇对多壁碳纳米管功能化的影响对硅树脂纳米复合材料电导率和力学性能的影响
机译:切角对晶片键合串联太阳能电池直接晶片键合的n-砷化镓/ n-砷化镓结构电导率的影响
机译:用于表面精加工和电性能的单晶硅晶片激光研磨
机译:PBS纳米晶体的刻面依赖性电导率性能