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机译:锗晶片具有刻面依赖的电导率性能
Natl Tsing Hua Univ Dept Chem Hsinchu 30013 Taiwan;
Natl Tsing Hua Univ Frontier Res Ctr Fundamental &
Appl Sci Matters Hsinchu 30013 Taiwan;
Natl Tsing Hua Univ Frontier Res Ctr Fundamental &
Appl Sci Matters Hsinchu 30013 Taiwan;
Natl Tsing Hua Univ Dept Chem Hsinchu 30013 Taiwan;
band structures; electrical conductivity; facet-dependent properties; field-effect transistors; germanium;
机译:锗晶片具有刻面依赖的电导率性能
机译:GaAs晶片拥有刻面依赖的电导率属性
机译:硅晶片具有刻面依赖性电导率
机译:低温直接结合锗与硅晶片的光电探测器应用的结构和电性能
机译:切角对晶片键合串联太阳能电池直接晶片键合的n-砷化镓/ n-砷化镓结构电导率的影响
机译:通过多B值扩散加权成像通过分解高频电导率的细胞外电导率成像
机译:PBS纳米晶体的刻面依赖性电导率性能