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IEEE International Symposium on Compound Semiconductors
IEEE International Symposium on Compound Semiconductors
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1.
Numerical simulation of transient and steady-state behavior of heterostructure organic LEDs
机译:
异质结构有机LED瞬态和稳态行为的数值模拟
作者:
B. Ruhstaller
;
S. A. Carter
;
J. C. Scott
;
S. Barth
;
H. Riel
;
W. Riess
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
2.
An electro-fluidic assembly technique for integration of III-V devices onto silicon
机译:
一种用于将III-V器件集成到硅的电流组装技术
作者:
Christopher D. Nordquist
;
Peter A. Smith
;
Theresa S. Mayer
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
3.
Depletion-mode GaAs MOSFET with a low temperature selective grown oxide gate
机译:
具有低温选择性种植氧化物栅极的耗尽模式GaAs MOSFET
作者:
Jau-Yi Wu
;
Hwei-Heng Wang
;
Po-Wen Sze
;
Yeong-Her Wang
;
Mau-Phon Houng
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
4.
Optical modulation of stored charges in single floating quantum dot gate field-effect transistor memory cell
机译:
单浮动量子点栅场效应晶体管存储器单元中存储电荷的光调制
作者:
Masashi Shima
;
Yoshiki Sakuma
;
Yoshihiro Sugiyama
;
Yuji Awano
;
Naoki Yokoyama
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
5.
Epitaxial GaN films on Si(111) with varied buffer layers
机译:
Si(111)上的外延GaN薄膜用不同的缓冲层
作者:
H. M. Liaw
;
R. Venugopal
;
J. Wan
;
M. R. Melloch
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
6.
Growth and characterization of InGaAs/AlInAs HEMT structures on oxide-bonded InGaAs substrates
机译:
InGaAs / Alinas HEMT结构在氧化酰基粘结的InGaAs基材上的生长和表征
作者:
Jeng-Jung Shen
;
Tong-Ho Kim
;
April s. Brown
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
7.
A quantitative modeling of In{sub}0.53Ga{sub}0.47As/In{sub}0.52Al{sub}0.48 As multi-quantum wells structures using photo-current and transmission spectra
机译:
以{sub} 0.53ga {sub} 0.47as / in {sub} 0.52al {sub} 0.48的定量建模为使用光电流和传输光谱的多量子阱结构
作者:
K. Tanaka
;
Y. Tanoue
;
K. Shibata
;
Y. Ueki
;
N. Kotera
;
M. Washima
;
H. Nakamura
;
T. Mishima
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
8.
Bulk electronic transport in arsenic-doped gallium nitride thin films
机译:
散装电子输送在砷掺杂的氮化镓薄膜中
作者:
Peter Mitev
;
Louis J. Guido
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
9.
Characteristics of highly strained InGaP/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistors grown on patterned GaAs substrates
机译:
高度应变的Ingap / Ingaas假形式高电子迁移率晶体管在图案化GaAs基材上生长的特征
作者:
Sang-Soon Kim
;
Sung-June Jo
;
Jong-In Song
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
10.
Surface photovoltage spectroscopy and contactless electroreflectance characterization of a GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistor structure
机译:
GAINP / GAAS异质结双极晶体管结构的表面光电电压和非接触式电气反射特征
作者:
L. Malikova
;
B. Mishori
;
L. Mourokh
;
Martin Munoz
;
Fred H. Pollak
;
P. Cooke
;
E. Armour
;
S. Sun
;
J. Silver
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
11.
Resonance cavity enhanced HIWIP FIR detectors
机译:
共振腔增强型HIWIP冷杉探测器
作者:
A. G. U. Perera
;
A. L. Korotkov
;
W. Z. Shen
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
12.
Quasi-free standing GaN epitaxial layer grown on nano-columnar GaN by RF-plasma assisted molecular beam epitaxy
机译:
通过射频辅助分子束外延在纳米柱GaN上生长的准无常设GAN外延层
作者:
Kazuhide Kusakabe
;
Takayuki Yamada
;
Yousuke Toyoura
;
Ryo Bannai
;
Akihiko Kikuchi
;
Katsumi Kishino
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
13.
Radiation hard InGaP for high efficiency multi-junction solar cells
机译:
高效多结太阳能电池的辐射硬摄入
作者:
Aurangzeb Khan
;
Masafumi Yamaguchi
;
Jacques C. Bourgoin
;
Tatsuya Takamoto
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
14.
Metamorphic In{sub}0.53Ga{sub}0.47As/In{sub}0.52Al{sub}0.48As tunnel diodes grown on GaAs
机译:
Metalymorphic在{sub} 0.53ga {sub} 0.47as / {sub} 0.52al {sub} 0.48as隧道二极管在GaAs上生长
作者:
Jonathan H. Lewis
;
Bobby Pitts
;
Mandar R. Deshpande
;
Nada El-Zein
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
15.
Optical constants, critical points, free carrier effects, and phonon modes of GaAsN single layers and GaAsN/InAs/GaAs superlattices
机译:
光学常数,关键点,自由载波效果和GaAsn单层和GaAsn / InAs / GaAs超晶片的声子模式
作者:
G. Leibiger
;
V. Gottschalch
;
A. Kasik
;
B. Rheinlander
;
J. Sik
;
M. Schubert
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
16.
Second-order nonlinear efficiency in II-VI semiconductors for wavelength conversion applications in the near IR
机译:
II-VI半导体中的二阶非线性效率,用于近红外的波长转换应用
作者:
S. M. Pietralunga
;
A. Zappettini
;
A. Milani
;
D. Piccinin
;
M. Fere
;
M. Martinelli
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
17.
Theoretical investigation of gate dielectrics
机译:
栅极电介质的理论研究
作者:
Alexander A. Demkov
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
18.
Adsorption and desorption of the surfactant Sb on GaInP grown by organometallic vapor phase epitaxy
机译:
表面活性剂Sb对有机金相血管阶段外延生长的GaInp的吸附和解吸
作者:
J. K. Shurtleff
;
R. T. Lee
;
G. B. Stringfellow
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
19.
High-power InAs/InGaAs type-II QW lasers grown on GaAs alternative substrate
机译:
高功率INAS / INGAAS Type-II QW激光在GaAs替代衬底上生长
作者:
S. J. Wurry
;
M. F. Vilela
;
N. Sooriar
;
K. A. Anselm
;
C-H Lin
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
20.
Vapor phase synthesis of polycrystalline II-VI semiconductor nanoparticles in a counterflow jet reactor
机译:
逆流射流反应器中多晶II-VI半导体纳米颗粒的气相合成
作者:
D. Sarigiannis
;
T. J. Mountziaris
;
G. Kioseoglou
;
A. Petrou
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
21.
Optical memory effects in near-surface InAs/GaAs quantum dots having sharp electronic shells
机译:
近表面INAS / GaAs量子点的光学存储器效果具有尖锐的电子壳
作者:
S. Fafard
;
C. Ni Allen
;
J. P. McCaffrey
;
P. Finnie
;
J. Fraser
;
Z. R. Wasilewski
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
22.
Inline sheet charge control during MBE production of AlGaAs/InGaAs pHEMTs using AlAs etch stopper for GaAs cap removal
机译:
使用Alas蚀刻止动器MBE生产在MBE生产过程中的内联纸电荷控制,用于清除GaAs盖子
作者:
Guoliang Zhou
;
Wayne Liu
;
Mong-Ea Lin
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
23.
Dislocation/grain boundary effects on the thermal conductivity of hydride vapor phase epitaxy grown GaN/sapphire (0001)
机译:
对氢化物气相外延生长GaN / Sapphire(0001)的脱位/晶界效应对氢化物蒸气阶段外延的导热率
作者:
D. I. Florescu
;
Fred H. Pollak
;
Tanya Paskova
;
Evgenia Valcheva
;
Bo Monemay
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
24.
Observation of exciton-LO-phonon scattering suppression in a high-quality AlGaAs/GaAs quantum wire
机译:
高品质藻类/ GaAs量子丝中Exciton-Lo-Phonon散射抑制的观察
作者:
Xue-Lun Wang
;
Mutsuo Ogura
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
25.
Improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells by optimizing growth rate in MOCVD
机译:
通过优化MOCVD的生长速率来改善GAINNAS / GAAS量子孔
作者:
Masao Kawaguchi
;
Tomoyuki Miyamoto
;
Eric Gouardes
;
Dietmar Schlenker
;
Takashi Kondo
;
Fumio Koyama
;
Kenichi Iga
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
26.
Solid source molecular beam epitaxy of al-free materials for laser applications
机译:
激光应用的固体源分子束外延材料
作者:
N. T. Moshegov
;
T. S. Mayer
;
D. L. Miller
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
27.
Quantum confined electronic states in InGaN dots embedded in GaN: tight-binding calculation
机译:
Quantum在GaN中嵌入的IngaN点狭窄的电子状态:紧密计算
作者:
T. Saito
;
Y. Arakawa
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
28.
Molecular beam epitaxial growth of group III-nitride-arsenides for long wavelength optoelectronics
机译:
用于长波长光电子的III族氮化物 - 砷酰基的分子束外延生长
作者:
S. G. Spruytte
;
M. C. Larson
;
W. Wampler
;
C. W. Coldren
;
J. S. Harris
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
29.
Molecular beam epitaxy of InGaN/GaN heterostructures for green luminescence
机译:
绿发光为ingan / GaN异质结构的分子束外延
作者:
D. S. Green
;
S. Heikman
;
B. Heying
;
P. R. Tavernier
;
J. S. Speck
;
D. R. Clarke
;
S. P. Den Baars
;
U. K. Mishra
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
30.
Factors determining the external quantum efficiency of AlGaInP microcavity light-emitting diodes
机译:
确定AlGaInP微胶囊发光二极管外部量子效率的因素
作者:
P. Royo
;
R. P. Stanley
;
M. Ilegems
;
K. Streubel
;
K. H. Gulden
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
31.
Compound semiconductor lighting based on InGaN ultraviolet LED and ZnS phosphor system
机译:
基于IngaN紫外LED和ZNS磷光体系的复合半导体照明
作者:
K. Murakami
;
H. Kudo
;
T. Taguchi
;
M. Yoshino
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
32.
Ubiquitous blue light: the integration of InGaN-based optoelectronics with dissimilar substrates by wafer bonding and laser lift-off
机译:
普遍存在的蓝光:通过晶片键合和激光剥离与异种基材的IngaN基光电子的整合
作者:
W. S. Wong
;
M. Kneissl
;
P. Mei
;
D. W. Treat
;
M. Teepe
;
N. M. Johnson
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
33.
Thermal characterization of thin film superlattice micro refrigerators
机译:
薄膜超晶格微冰箱的热表征
作者:
James Christofferson
;
Daryoosh Vashaee
;
Ali Shakouri
;
Xiaofeng Fan
;
Gehong Zeng
;
Chris Labounty
;
John E. Bowers
;
Edward T. Croke
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
34.
Epitaxial growth of heterostructures based on InAsPSb and GaInAsPSb isoperiodical with GaSb
机译:
基于INASPSB的异质结构的外延生长和GAINASPSB与GASBIODICAL
作者:
V. I. Vasilev
;
V. I. Kuchinskii
;
I. P. Nikitina
;
D. Akhmedov
;
V. M. Smirnov
;
D. A. Vasukov
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
35.
MOVPE based Zn diffusion into InP and InAsP/InGaAs heterostructures
机译:
基于MOVPE的Zn扩散到INP和InaP / InGaAs异质结构
作者:
K. Vanhollebeke
;
I. Moerman
;
P. Van Daele
;
P. Demeester
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
36.
Evaluation of strained piezoelectric InGaAs/GaAs QW structures grown on (111)B GaAs photoreflectance spectroscopy
机译:
(111)B GaAs光反射光谱生长的应变压电InGaAs / GaAs QW结构的评估
作者:
Cho Soohaeng
;
Majerfeld A
;
Sanchez J. J
;
Munoz E
;
Izpura I
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
37.
Effective length of high-field region in InGaAs-based lattice-matched HEMTs
机译:
基于InGaAs的格子匹配的悬臂的高场区的有效长度
作者:
Naoteru Shigekawa
;
Tetsuya Suemitsu
;
Yohtaro Umeda
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
38.
A comprehensive DC/RF tunnel diode model and its application to simulate HITFET's (Heterostructure integrated tunneling FET's) and quantum-MMIC's
机译:
全面的DC / RF隧道二极管模型及其应用于模拟HitFET(异质结构集成隧道FET)和Quantum-MMIC的应用
作者:
Mandar R. Deshpande
;
Jonathan H. Lewis
;
Vijay Nair
;
Nada El-Zein
;
Herbert Goronkin
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
39.
Laterally complex-coupled DFB-lasers in the 1.55 μm range based on GS-MBE-grown InGaAsP-InP
机译:
基于GS-MBE的INGAASP-INP的1.55μm范围内的横向复合耦合的DFB-激光器
作者:
J. Hofmann
;
M. Kamp
;
A. Forchel
;
J. L. Gentner
;
L. Goldstein
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
40.
Picosecond response of carbon doped InGaP photoconductive gate
机译:
碳掺杂夹钳光电导栅的皮秒响应
作者:
Shinichi Wakana
;
Toshihide Kikkawa
;
Naoya Okamoto
;
Hitoshi Tanaka
;
Masahiro Tsuchiya
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
41.
Development of 650 nm-emitting VCSELs for cw operation
机译:
开发650 NM发射VCSELS的CW操作
作者:
A. Oster
;
M. Zorn
;
H. J. Unold
;
J. Sebastian
;
H. Wenzel
;
W. John
;
K. Vogel
;
M. Weyers
;
G. Trankle
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
42.
Optical and structural studies of compositional inhomogeneity in strain-relaxed indium gallium nitride films
机译:
应变松弛铟镓膜中的组成无能的光学和结构研究
作者:
L. H. Robins
;
J. T. Armstrong
;
R. B. Marinenko
;
M. D. Vaudin
;
C. E. Bouldin
;
J. C. Woicik
;
A. J. Paul
;
W. R. Thurber
;
Ke Miyano
;
Ca Parker
;
Jc Roberts
;
Sm Bedair
;
El Piner
;
Mj Reed
;
Na El-Masry
;
Sm Donovan
;
Sj Pearton
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
43.
Narrow-band light emission in a semiconductor-fiber asymmetric waveguide coupler
机译:
半导体纤维不对称波导耦合器中的窄带发光
作者:
E. Mao
;
C. -C. Lin
;
O. Solgaard
;
J. S. Harris Jr.
;
D. R. Yankelevich
;
A. Knoesen
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
44.
Gamma radiation effect on the GaAs solar cell performance
机译:
Gamma辐射对GaAs太阳能电池性能的影响
作者:
M. Y. Feteha
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
45.
High-power operation of a 660-nm-band self-aligned stepped substrate laser
机译:
高功率操作660-NM带自对准阶梯式基板激光器
作者:
C. Anayama
;
K. Sugiura
;
A. Furuya
;
T. Tanahashi
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
46.
Low temperature transport of n-type gallium nitride
机译:
低温输送N型氮化镓
作者:
G. Chong
;
M. A. Reed
;
B. Gaffey
;
M. Gheriasmova
;
P. H. Mitev
;
L. J. Guido
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
47.
Low avalanche noise behaviour in bulk Al{sub}0.8Ga{sub}0.2As
机译:
散装α{sub} 0.8ga {sub} 0.2as中的低雪崩噪声行为
作者:
B. K. Ng
;
J. P. R. David
;
R. C. Tozer
;
G. J. Rees
;
C. H. Tan
;
S. A. Plimmer
;
M. Hopkinson
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
48.
Anomalies on the Zeeman splitting and dielectric response due to the lack of inversion symmetry in narrow-gap semiconductor quantum wells
机译:
由于窄间隙半导体量子阱中缺乏反转对称而导致的塞曼分裂和介电响应的异常
作者:
V. Lopez-Richard
;
G. Marques
;
C. Trallero-Giner
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
49.
Reduction of switching voltage in GaAs/AlGaAs optical modulators on p-i-n rib waveguide by enhancing the quadratic electrooptic effect
机译:
通过增强二次电光效应来减少P-I-N肋波导的GaAs / Algaas光学调制器中的开关电压
作者:
Hwa Sun Park
;
Wang Yeob Choi
;
Jong Chang Yi
;
Young Tae Byun
;
Sun Ho Kim
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
50.
First demonstration of GaAs CMOS
机译:
第一次演示GaAs CMOS
作者:
M. Hong
;
J. N. Baillargeon
;
J. Kwo
;
J. P. Mannaerts
;
A. Y. Cho
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
51.
Effect of interlayer insulation on CdSe junction capacitance under reverse bias
机译:
层间绝缘对反向偏压下CDSE结电容的影响
作者:
V. T. Ingole
;
A. A. Ghatol
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
52.
Optical constants of GaAs from 0.73 to 6.60 eV for dielectric film thickness metrology in compound semiconductor manufacturing
机译:
GaAs的光学常数在化合物半导体制造中为介电膜厚度计量为0.73至6.60eV
作者:
Stefan Zollner
;
Doug Zarr
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
53.
InAs quantum dot selective area epitaxy using InGaAs thin films
机译:
Inas量子点选择性区域外延使用Ingaas薄膜
作者:
T. S. Yeoh
;
A.E. Huber
;
C. Y. Woo
;
R. B. Swint
;
C. Manzanedo
;
J. J. Coleman
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
54.
Temperature dependence of threshold current for 1.8 to 2.3 μm (AlGaIn)(AsSb)-based QW diode lasers
机译:
阈值电流的温度依赖性1.8至2.3μm(almain)(AbsB)基于QW二极管激光器
作者:
M. Rattunde
;
C. Mermelstein
;
S. Simanowski
;
J. Schmitz
;
R. Kiefer
;
N. Herres
;
F. Fuchs
;
M Walther
;
J. Wagner
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
55.
Ordering dependence of carrier lifetimes and ordered states of Ga{sub}0.52In{sub}0.48P/GaAs with degree of order ≤ 0.64
机译:
载流子寿命的依赖性和Ga {sub} 0.52in {sub} 0.48p / gaas的订购状态≤0.64
作者:
A. Sasaki
;
K. Tsuchida
;
X. Q. Liu
;
N. Ohno
;
Y. Narukawa
;
Y. Kawakami
;
Sg. Fujita
;
Y. Hsu
;
C. Fetzer
;
G. B. Stringfellow
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
56.
Visible emission from AlN doped with Eu, Tb, and Er ions
机译:
来自Aln的可见排放掺杂欧盟,TB和ER离子
作者:
W. M. Jadwisienczak
;
H. J. Lozykowski
;
I. Berishev
;
A. Bensaoula
;
I. Brown
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
57.
Noise spectroscopy of traps in GaN devices
机译:
GaN设备陷阱噪声光谱
作者:
A Balandin
;
K. L. Wang
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
58.
Fabrication of device-related GaN/(Al, Ga)N heterostructures on SiC (0001) by reactive MBE
机译:
通过反应性MBE制造在SiC(0001)上的器件相关的GaN /(Al,Ga)n异质结构
作者:
A. Thamm
;
O. Brandt
;
J. Hilsenbeck
;
R. Lossy
;
K. H. Ploog
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
59.
Determination of the energy structure of InAs quantum dots
机译:
InAs量子点的能量结构的测定
作者:
V. G. Stoleru
;
E. Towe
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
60.
Atomic force microscope measurement of channel temperature in GaAs devices
机译:
GaAs设备中的通道温度的原子力显微镜测量
作者:
W. T. Anderson
;
J. A. Mittereder
;
J. A. Roussos
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
61.
Deconvolution of the intrinsic spectrum of AlGaInP microcavity light-emitting diodes
机译:
藻替P微透明二极管内在光谱的折应
作者:
P. Royo
;
R. P. Stanley
;
M. Ilegems
;
K. Streubel
;
K. H. Gulden
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
62.
Single crystal rare earth oxides epitaxially grown on GaN
机译:
单晶稀土氧化物在GaN上外延生长
作者:
M. Hong
;
A. R. Kortan
;
J. Kwo
;
J. P. Mannaerts
;
C. M. Lee
;
J. I. Chyi
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
63.
Vertical cavity surface emitting laser with AlGaInAs/InP Bragg mirrors fabricated for operation at 1.55 μm
机译:
垂直腔表面发射激光器带AlGainAs / InP布拉格镜,用于在1.55μm的1.55μm
作者:
M. Linnik
;
A. Christou
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
64.
Analysis of localized charge trapping behavior in AlGaN/GaN heterostructures
机译:
Algan / GaN异质结构中局部电荷捕获行为的分析
作者:
K. V. Smith
;
E. T. Yu
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
65.
A new empirical interatomic potential for compound semiconductors and its application to thermodynamic stabilities
机译:
复合半导体的新经验外部潜力及其对热力学稳定性的应用
作者:
Yoshihiro Kangawa
;
Tomonori Ito
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
66.
Three-dimensional quantum transport by supercell method: numerical acceleration and applications
机译:
SuperCell方法的三维量子传输:数值加速度和应用
作者:
David Z-Y Ting
;
Ming Gu
;
Jianwen Cao
;
Xuebin Chi
;
J. N. Schulman
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
67.
Absorption dichroism of thin CdS films formed by pulsed-laser deposition
机译:
脉冲激光沉积形成的薄CDS薄膜的吸收二分列
作者:
B. Ullrich
;
H. Sakai
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
68.
Effect of passivation on AlGaN/GaN HEMT device performance
机译:
钝化对AlGan / GaN HEMT器件性能的影响
作者:
V. Tilak
;
B. Green
;
H. Kim
;
R. Dimitrov
;
J. Smart
;
W. J. Schaff
;
J. R. Shealy
;
L. F. Eastman
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
69.
DL TS characterization of InAs self-assembled quantum dots
机译:
INAS自组装量子点的DL TS表征
作者:
V. V. Ilchenko
;
S. D. Lin
;
C. P. Lee
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
70.
Thermal stability of ZnMgSSe/ZnSe laser heterostructures
机译:
Znmgsse / ZnSe激光异质结构的热稳定性
作者:
I. P. Marko
;
G. P. Yablonskii
;
A. L. Gurskii
;
E. V. Lutsenko
;
H. Kalisch
;
M. Heuken
;
T. Walther
;
K. Heime
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
71.
Selective MOVPE growth of (Al)GaAs using DMGaCl and DMAlCl
机译:
使用DMGACL和DMALCL选择性MOVPE生长(AL)GaAs
作者:
M. Philippens
;
Ch Giesen
;
B. Gerard
;
S. Rushworth
;
K. Heime
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
72.
The influence of rapid thermal annealing on InAsP/InP strained multiple quantum well laser diodes grown by metalorganic vapor phase epitaxy
机译:
快速热退火对INASP / INP紧张多量子孔激光二极管的影响冶金血管阶段外延生长
作者:
Wei-Han Wang
;
Chong-Yi Lee
;
Ya-De Tian
;
Tian-Tsorng Shih
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
73.
Capacitance-voltage spectroscopy of self assembled ordered arrays of quantum dots
机译:
Quantum Dots的自组装有序阵列的电容 - 电压光谱
作者:
N. Kouklin
;
S. Bandyopadhyay
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
74.
Raman characterization of GaAs/InGaP heterostructure bipolar transistor
机译:
GaAs / Ingap异质结构双极晶体管的拉曼表征
作者:
A. Amtout
;
I. Ferguson
;
D. S. Lee
;
S. Z. Sun
;
E. A. Armour
;
P. Cooke
;
R. A. Stall
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
75.
High current gain GaN bipolar junction transistors with regrown emitters
机译:
高电流增益GaN双极结晶体管,重新发射器
作者:
H. Xing
;
L. McCarthy
;
S. Keller
;
S. P. DenBaars
;
U. K. Mishra
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
76.
Epitaxial orientation-patterning of AlGaAs films for nonlinear optical devices
机译:
非线性光学器件AlGaAs薄膜的外延定向 - 图案化
作者:
T. J. Pinguet
;
L. A. Eyres
;
C. B. Ebert
;
O. Levi
;
M. M. Fejer
;
J. S. Harris
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
77.
Influence of the AlN buffer layer growth on AlGaN/GaN films deposited on (111)Si substrates
机译:
AlN缓冲层生长对(111)Si基材沉积的AlGaN / GaN膜的影响
作者:
R. Venugopal
;
H. M Liaw
;
J. Wan
;
M. R. Melloch
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
78.
The effect of GaP in Al-free, GaAs-based resonant tunnelling diodes
机译:
间隙在无铝的GaAs的谐振隧道二极管中的影响
作者:
L-E Wernersson
;
B. Gustafson
;
A. Gustafsson
;
M. Borgstrom
;
I. Pietzonka
;
M-E. Pistol
;
T. Sass
;
W. Seifert
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
79.
High-performance back-illuminated solar-blind AlGaN metal-semiconductor-metal photodetectors
机译:
高性能后照明太阳能盲 - 金属半导体 - 金属光电探测器
作者:
Lambert D. J. H
;
Yang B
;
Li T
;
Collins C. J
;
Wong M. M
;
Chowdhury U
;
Shelton B. S
;
Beck A. L
;
Campbell J. C
;
Dupuis R D
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
80.
'Vibrational and optical properties of AlN grown on Si(111)'
机译:
“在Si(111)上生长的ALN的振动和光学性质”
作者:
M. Holtzl
;
S. Zollner
;
T. Prokofyeva
;
M. Seon
;
J. Vanbuskirk
;
K. Copeland
;
A. Konkar
;
S. A. Nikishin
;
N. N. Faleev
;
H. Temkin
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
81.
Transverse momentum dependence of electron and hole tunneling in a full band tight-binding simulation
机译:
横向动量依赖于全带紧密仿真中的电子和孔隧穿
作者:
Gerhard Klimeck
;
Chris Bowen
;
Timothy B. Boykin
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
82.
Sb-Heterostructure millimeter-Wave zero-bias diodes
机译:
SB-异质结构毫米波零偏置二极管
作者:
E. T. Croke
;
J. N. Schulman
;
D. H. Chow
;
C. Pobanz
;
M. Case
;
L. D. Warren
;
K. S. Holabird
;
H. L. Dunlap
;
C. D. Haeussler
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
83.
External electronic and optical evidence for internal quantum transport effects in BH-MQW lasers
机译:
在BH-MQW激光器中的内部量子输送效果的外部电子和光学证据
作者:
Dayan Ban
;
Edward H. Sargent
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
84.
Molecular beam epitaxy of GaN/AlGaN multiple quantum wells: application to near-infrared intersubband transitions (1.5-4.2μm)
机译:
GaN / AlGaN多量子阱的分子束外延:应用于近红外网带过渡(1.5-4.2μm)
作者:
H. M. Ng
;
C. Gmachl
;
S. N. G. Chu
;
A. Y. Cho
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
85.
DC and microwave properties of 0.5 μm AlGaN/GaN high electron mobility transistors fabricated on 2-inch process line
机译:
DC和微波特性为0.5μmAlgan/ GaN高电子迁移率晶体管,在2英寸工艺管线上制造
作者:
J. Hilsenbeck
;
F. Lenk
;
R. Lossy
;
J. Wurfl
;
K. Kohler
;
H. Oblon
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
86.
Full bandstructure modeling of quantum well infrared photodetectors
机译:
量子井红外光电探测器的全乐谱建模
作者:
Hua Yang
;
William R. Frensley
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
87.
Formation of 0.5 μm-period GaAs network structures for two-dimensional photonic crystals by selective area metal-organic vapor phase epitaxy
机译:
通过选择性区域金属 - 有机气相外延形成二维光子晶体的0.5μm周期GaAs网络结构
作者:
Masashi Akabori
;
Junichi Motohisa
;
Takashi Fukui
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
88.
Optical properties of Al{sub}(1-x)In{sub}xN thin films determined by spectroscopic ellipsometry
机译:
通过光谱椭圆形测定法测定的{Sub}(1-x)的光学性质
作者:
A. Kasic
;
M. Schubert
;
B. Rheinlander
;
J. Off F. Scholz
;
C. M. Herzinger
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
89.
Simulation of electron tunneling in HEMT devices
机译:
HEMT器件中电子隧道的仿真
作者:
E. Lyumkis
;
R. Mickevicius
;
O. Penzin
;
B. Polsky
;
K. El Sayed
会议名称:
《IEEE International Symposium on Compound Semiconductors》
|
2000年
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