中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议-中文会议【掌桥科研】

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1.co 1-XxMn x单晶超薄膜的制备及其结构和磁性的研究
- 吴镝;刘国磊
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文报道在GaAs（001）面上外延生长了Co 1-X系列的单晶超薄膜，利用原位的RHEED和非原位的XRD确定co 1-xMnx的晶体结构，利用SMOKE装置判断其铁磁性，进而给出Co 1-x结构和磁性随组分调和厚度变化的关系相图。
- co 1-XxMn x单晶超薄膜;
- 磁性;
2.磁性超晶格表面和界面的二阶非线性极化率的研究
- 蔡晃;黄志高
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文在对称性理论的基础上，研究了不同晶体结构类型、不同的表面和界面、不同的磁化强度M取向下磁性超晶格的二阶非线性极化率x (2)的形式。
- 磁性超晶格;
- 二阶非线性极化率;
3.B位替代（La2／3Ca/3）（Mn(3-x)/3Dx/3）O 3（D＝Ga，A1，Fe等）体系巨磁电阻效应的研究
- 徐明祥;焦正宽
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
- 巨磁电阻效应;
4.多晶Fe 3O 4 的巨磁电阻效应
- 王亮;丁维平
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：用化学共沉淀方法制备纳米微晶Fe 3O 4，在77K至室温进行了不同磁场下电阻-温度特性测量，观察到T V随外加磁场而向低温移动，0．68 T 下达2K.在室温及77k，0．5T磁场下观察到磁电阻分别达4．5℅与5.7℅，有潜在的应用价值。
- 巨磁电阻效应;
5.Co／Cu磁性金属多层膜的界面特性
- 吴小山;林振
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：利用X射线高角衍射和小角掠人射反射方法测量了超薄CO／Cu金属多层膜样品的表面和界面特征。结果表明，cO、 Cu薄层均以（111）择优取向沉积在玻璃衬底上；在CO／cu界面处出现了一个厚度约5埃的固溶层；Fe缓冲层的存在可以明显降低衬底表面的粗糙度。
- Co／Cu磁性金属多层膜;
- 界面特性;
6.层状锰氧化物La 2-2x Sr1+2x Mn 2 O 7 Mn 2O7，的磁电性质
- 王芳卫;张军
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
- 层状锰氧化物;
- 磁电性质;
7.退火对S钝化GaAs（100）衬底生长的Fe超薄膜磁性质的影响
- 张发培;徐彭寿
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
8.Sm-Fe－M-si-Cu，NbZr）的结构与磁性
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
9.Ni掺杂钙钛石锰氧化物La 0.67 Sr0．33 Mn1-x Ni x Ni x O 3的磁性和巨磁电阻
- 王志宏;蔡建旺
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
10.Lao67Sr、0.33 Mn0.9 TM0.9 TM 0.1 O 3（TM=FeNi）的磁性和磁输运特性
- 陈新;王志宏
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
11.自旋电子学的发展与应用
- 赵宏武;詹文山
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文简介了自旋电子学中的一些基本概念，同时，对自旋电子学器件的结构和工作原理作了系统的介绍，包括两端器件和各种三端自旋晶体管。
- 自旋电子学;
12.纳米晶Fe 73.5Cu 1Nb 3Si 13.5B 9磁粉芯的研究
- 徐晖;丘俞;王正杰
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
- 纳米晶Fe 73.5Cu 1Nb 3Si 13.5B 9;
- 磁粉芯;
13.Fe 73．5M 1Nb 3Si 13.5B 9 （M=Zr，Zn）非晶合金晶化过程的研究
- 刘群先;李岫梅
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：利用TEM和XRD技术研究了Fe 73．5M 1Nb 3Si 13.5B 9 （M=Zr，Zn）合金晶化过程、品化后合金的组织与性能。结果表明，a-Fesi与硼化物在Fe 73．5ZN 1 nB 3Si 13.5B 9 合金退火过程中分阶段晶化，在823K保温1小时的合金只有相对较好的磁性，a-FeSi的平均晶粒尺寸为20-30nm:在Fe 735zr 1Nb 3Si 13.5 B 9合金中a-FeSi 1 硼化物发生混合晶化，晶化相的晶粒较大，为50nm左右，磁性也较差。
- 非晶合金;
- 晶化过程;
14.软磁合金中霍普金生效应的研究
- 何开元;徐晖
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
- 软磁合金;
- 霍普金生效应;
15.纳米晶Fe 73．5 cu 1Nb 3Si13.5 B 9软磁合金剩余非晶相的居里温度
- 贺淑莉;张宏伟;张绍英
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：根据已知数据计算出最佳磁性状态时纳米晶Fe 73．5 cu 1Nb 3Si13.5 B 9软磁合金晶间相的化学成分并利用磁天平研究了其居里温度。实验表明，纳米晶合金中晶间相的居里温度比相同成分非晶合金的居里温度60-80℃。
16.Ni 80Co 20合金膜的各向异性磁电阻及磁畴结构
- 杜军;鹿牧
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：研究人员用射频磁控溅射的方法直接制备了各向异性磁电阻比值较大的Ni 80Co 20合金单层膜，且用改变溅射能量的方法制备了纵横磁电阻比值不同的合金薄膜，并将此归结于面内磁织构的不同，磁力显微镜磁畴分布照片证实了这一点。
17.界面粗糙度与晶粒取向对Co／Cu多层膜巨磁电阻效应的影响
- 张宗芝;张国祥
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文系统研究了用直流磁控溅射方法制备的co/Cu多层膜其巨磁电阻（GMR）与晶粒取向和界面粗糙度的关系，发现GMR与界面粗糙度和晶粒取向密切相关。＜2O0>和＜22O＞择优取向的出现伴随较大的GMR。而＜111＞择优取向却对形成大的GMR不利。
18.Co／NiFe多层膜磁电阻效应
- 王海;何伦华
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：对Co／NiFe多层膜的结构、磁性和各向异性磁电阻（AMR）进行了初步研究，发现AMR与衬底层材料有密切关系，同时注意到层间耦合特性随Co层和NiFe层的成份比不同而发生改变。
- Co／NiFe多层膜;
- 磁电阻效应;
19.Ni 81、Fe19/Cr2四层膜线列阵的各向异性
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
20.Co／Ni多层膜磁电阻的研究
- 何伦华;王海
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：在对Co/Ni系列多层膜研究中，观察到其AMR、M r／M s及H c随Ni层厚度的改变而变化。在很低的磁场下，这种多层膜显示出很陡的NR的变化。
- Co／Ni多层膜;
- 磁电阻;
21.Co-Al-O纳米颗粒薄膜的巨磁电阻效应
- 张振刚;李成贤
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
- Co-Al-O纳米颗粒薄膜;
- 巨磁电阻效应;
22.用合金靶溅射制备PtCo磁光合金膜
- 荀坤;周健
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
- 合金靶溅射;
- PtCo磁光合金膜;
23.层间相互作用与附加磁光效应
- 鹿牧;翟宏如
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文报道了研究人员过去及最近对层状和多层膜中层间相互作用与磁光反应的研究结果，观察到已光效应在一些波长范围被增强和磁光效应及光学常数随非磁层厚度变化而振荡，并分析与讨论了附加磁光效应的机制。
- 层间相互作用;
- 附加磁光效应;
24.Fe 92-x／Zr 7B xC u的结构和巨磁阻抗效应
- 何峻;何开元
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文研究了纳米晶Fe 92-xZrBr xCu（x=2，4，68，10）薄带的结构、磁性能和GMI效应。实验结果表明，随含量的增加，非晶基体中的bcc析出相a-FEe含量逐渐减少，矫顽力Ha随x值增大先逐渐减小，在x=8时达到最小值，随后又逐渐增大。GMI效应与结构和磁性能密切相关，MI变化率△Z/Z在x＝8时达到最大值255（f=6.5MHz），最大变化灵敏度为66.5Oe -1（f=10．5MHZ），优异的软磁性能和横向畴结构是获得最佳GMI效应的前提。
- Fe 92-x／Zr 7B xC u结构;
- 巨磁阻抗效应;
25.锰-镓合金磁性颗粒磁力图的计算机模拟
- 韩宝善;李丹
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文对Mn离子注入GaAs单晶形成的磁性粒子进行了MFM研究，并对亚微米Mn-Ga合金铁磁性颗粒的磁力图作了系统的计算机模拟，模拟结果与磁力图符合得很好。
26.so1-Gel法制备Ln 1-xT xMnO 3（T＝Ca，Sr，Pb）纳米晶薄膜材料
- 严纯华;张志力
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文利用sol-Gel方法，在单晶硅si（100）衬底上合成了钙钛型稀土锰氧化物Ln 1-xT xMno 3（LTMO3T=a，Sr，Pb）的纳米晶薄膜，考察了不同晶化条件对LTMO成相、晶粒尺寸和薄膜表面形貌的影响，以及LTMO晶化及其磁特性随不同碱上金属掺杂量的变化。sr掺杂的纳米晶薄膜可表现出高于室温的T c值。
27.氮化铁磁性液体的研制
- 徐教仁;刘思林
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
- 氮化铁磁性液体;
28.磁性粒子高分子复合物的高频特性研究
- 孙克;李德新
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文通过对若干类磁性粒子与高分子材料的复合，初步研究了粒子类型、粒子尺寸，包覆情况对材料高频性能的影响。
- 磁性粒子高分子复合物;
- 高频特性;
29.具有氧化势垒的磁隧道阀中的交换备向异性
- 温戈辉;赵宏武
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文介绍了具有自然氧化形成的AIO x势垒的磁隧道阀glassCUCO/ALO/PY/CU结构中存在的交换各向异性，证实了CO/ALOX界面处CoO的生成。并观察到了带不同方向外场降温后测得的磁滞回线及交换偏场hex的差异。研究人员认为这是由于部分CoO膜的自发磁化方向在外场作用下发生了不可逆转动造成的。转矩曲线的结果证明了这种解释。
- 氧化势垒;
- 磁隧道阀;
30.Fe xMn100-x合金磁性的理论计算
- 敬超;吴义政
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文利用线性缀加平面波（LAPW）的理论计算方法对不同Fe，Mn比例的FexMn100-x（x＝100，75，50 250）合金体系的磁性进行了初步的理论计算。计算结果与实验上所得结论相一致。
31.不均匀磁场中静磁体波的传播特性
- 刘公强;武保剑
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
32.单层超薄Co／Au膜的磁性
- 钟文定;吴建华
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
- 单层超薄Co／Au膜;
- 磁性;
33.具有非磁金属夹层和覆盖层的磁性隧道结的磁电阻和层间耦合
- 张武寿;李伯臧
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
34.铁磁金属/磁性绝缘体/（半导体）/铁磁金属隧道结的隧穿磁电阻
- 李云;李伯臧
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
35.Co／V多层膜的结构及铁磁共振的研究
- 吴静;杜军
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文报道了射频磁控溅射制备的Co/v多层膜的结构及铁磁共振行为。对其微结构的研究发现多层膜是由柱状晶粒构成的多晶薄膜，在膜的生长方向具有fcc CO（111）和bccV（110）织构，且存在较严重的界面合金化。从铁磁共振谱中一致进动峰计算出的g因子和4Me值偏小也说明了这一点。当V层较薄时（＜2.4nm）普遍观测到自旋波共振峰，根据拟合计算出的较小的层间耦合常数说明多层膜中存在较弱的层间耦合作用。
- Co／V多层膜;
- 铁磁共振;
36.co x Cu1-x颗粒膜的磁光性质研究
- 王松有;李白云
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
- co x Cu1-x颗粒膜;
- 磁光性质;
37.Fe-Co-Si合金中晶态-非晶态转变引起的磁光克尔效应增强
- 蔡金华;杨渭
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：利用直流磁控溅射，在玻璃衬底上，分别在衬底温度（T a）为400℃和环绕大气室温（RT）下制备了Fe O.1Co O.9-xSi （x=0．13 0.280.34）合金膜。T a＝400 vC的样品主要包含co 2si和立方Co相的晶态物质，Ts=RT的样品主要包含非晶态物质。相应地，这种晶态到非晶态转变引起磁光克尔旋转0.01到0.10度的增强。
38.磁性co 6Ag 94 颗粒膜的磁光性质研究
- 王松有;张荣君;李白云
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
- 磁性co 6Ag 94 颗粒膜;
- 磁光性质;
39.Fe/In 2 O 3磁性颗粒膜的光吸收
- 张汝贞;张连生;张林
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：介绍了用射频共溅法制备的Fe/In 2O 3 磁性颗粒膜的光吸特性。发现在嵌入Fe颗粒的磁性颗粒膜中，电子的带间跃迁由ln 2 O 3的直接跃迁，基本吸收边变平，随磁性增强，局域态尾变宽，带隙变窄。
- Fe/In 2 O 3磁性颗粒膜;
- 光吸收;
40.（La2/3 Ca1/3）（Mn（3-2x）/3 In2x/3）○ 3体系巨磁电阻效应和电特性的研究*
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
41.Fe x（In 2○ 3）1-X颗粒膜磁性的研究*
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
42.Fe/In 2 O 3磁性颗粒膜的光吸收*
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
43.Fex（In2○3）1-X颗粒膜的巨磁电阻研究①
- 张连生
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文研究了用射频溅射法制备的金属／半导体磁性颗粒膜Fex（In2○3）2-的电阻和磁电阻特性，特别是低温下二者的温度关系。
- Fex（In2○3）1-X颗粒膜;
44.Nd2Fe23B3及Dy2Fe23B3纳米薄带
- 胡季帆
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：用快淬甩带的方法，制备了Dy2Fe23B3及Nd2Fe23B3非晶带。
- Nd2Fe23B3;
45.（La2/3Ca1/3）（Mn（3-2x）/3In2x/3）○3体系巨磁电阻效应和电特性的研究
- 徐明祥
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
- 巨磁电阻效应;
46.Ni81、Fe19/Cr2四层膜线列阵的各向异性
- 陈慧余
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
- 四层膜线列阵;
47.磁性co6Ag94颗粒膜的磁光Kerr增强效应研究
- 王松有
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
- 磁性co6Ag94颗粒膜;
48.Ni80Co20合金膜的各向异性磁电阻及磁畴结构
- 杜军
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：研究人员用射频磁控溅射的方法直接制备了各向异性磁电阻比值较大的Ni80Co20合金单层膜，且用改变溅射能量的方法制备了纵横磁电阻比值不同的合金薄膜，并将此归结于面内磁织构的不同，磁力显微镜磁畴分布照片证实了这一点。
- Ni;
49.纳米Y相氧化铁磁粉的热稳定性和介电特性
- 叶锡生
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：籍助于差热分析（TG-DTA）X射线衍射（XRD）物相和晶粒及微结构分析，介电常数和介电损耗测试，对纳米Y相氧化铁磁粉的热稳定性及介电特性进行了较深入的实验研究，发现该材料热稳定性好于常规多晶，其向a相转变的明显高于常规材料，介电性能亦有大幅提高。
- 纳米;
50.sm2Fe15-xMxGa2C（m=cUNb）快淬材料的结构与磁性
- 张绍英
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文研究了sm2Fe15-xMxGa2C（X≤2；M=cUNb）快淬带退火后的结构与磁性。
- sm2Fe15-xMxGa2C（m=cUNb）;
51.HDDR合成各向同性Pr（Fe，Mo）12Ny化合物
- 金志强
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：以HDDR工艺制备了各向同性的Pr（Fe，MO）12NY合物并系统地分析了氮化粉末的组成、微结构和磁性。
- HDDR合成;
52.Fe3B基纳米晶复合永磁材料-Nd4．5Fe77B18.5
- 张宏伟
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文通过快淬方法得到了Fe3B基纳米复合永磁材料Nd4sFe77B18.5，并观测了其微结构与磁性，实验研究表明，经948k热处理后Nd4sFe77B18.5的晶粒尺寸约为20mn，矫顽力为3．5kOe相对剩磁m=M1/Ms=0.76。
- Fe3B基纳米晶复合永磁材料;
53.sm2Co17-xAlx的结构和磁性研究
- 王晶云
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文研究了sm2CO17-xA1x（X＝0、1、2、3、4）的结构和磁性。
- sm2Co17-xAlx;
54.M1G录像机磁头用FeSiAl超厚膜
- 宋庆山
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：报道了控制FeSiAl膜应力的几种有效方法，膜应力为107dyn/cm2量级。
- 录像机磁头;
55.Fe／A12O3/Fe隧道结中AL2O3层的俄歇谱研究
- 陈浩
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：采用离子束溅对方法制备了Fe/Al2O3/Fe系列隧道结样品（其中一层Fe膜的溅射温度为250℃，另一层Fe，膜的溅射温度为室温，中间氧化层采用Al膜自的氧化的方法制备），测量了样品的伏安特性和磁电阻效应，观察到了数值为5．89％的磁电阻效应，并采用俄歇电子谱方法对氧化层礮
- Fe／A12O3/Fe隧道结;
56.FexMn100-x合金磁性的理论计算
- 敬超
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文利用线性缀加平面波（LAPW）的理论计算方法对不同Fe，Mn比例的FexMn100-x（x＝100，75，50250）合金体系的磁性进行了初步的理论计算。
- Fe;
57.Fex（In2○3）1-X颗粒膜磁性的研究
- 张林
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
- Fex（In2○3）1-X颗粒膜;
58.Ni掺杂钙钛石锰氧化物La0.67Sr0．33Mn1-xNixNixO3的磁性和巨磁电阻
- 王志宏
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
- Ni;
59.层状锰氧化物La2-2xSr1+2xMn2O7Mn2O7，的磁电性质
- 王芳卫
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
- 层状锰氧化物;
60.Fe92-x／Zr7BxCu的结构和巨磁阻抗效应
- 何峻
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文研究了纳米晶Fe92-xZrBrxCu（x=2，4，68，10）薄带的结构、磁性能和GMI效应。
- Fe92-x／Zr7BxCu结构;
61.Fe73．5M1Nb3Si13.5B9（M=Zr，Zn）非晶合金晶化过程的研究
- 刘群先
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：利用TEM和XRD技术研究了Fe73．5M1Nb3Si13.5B9（M=Zr，Zn）合金晶化过程、品化后合金的组织与性能。
- 非晶合金;
62.多晶Fe3O4的巨磁电阻效应
- 王亮
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：用化学共沉淀方法制备纳米微晶Fe3O4，在77K至室温进行了不同磁场下电阻-温度特性测量，观察到TV随外加磁场而向低温移动，0．68T下达2K.在室温及77k，0．5T磁场下观察到磁电阻分别达4．5％与5.7％，有潜在的应用价值。
- 巨磁电阻效应;
63.sm 2Co 17 -xAl x的结构和磁性研究
- 王晶云;沈保根
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文研究了sm 2CO 17-xA1 x（X＝0、1、2、3、4）的结构和磁性。所有样品都为菱方的Th 2Zn 17型结构，且由于Al对co的替代，单胞体积A1含量的增多近似线性地以7．47A3/Al的速度增大。居里温度和饱和磁化强度随Al含量的增加而线性下降。对室温取向样品的X射线衍射测量指出，所有样品在室温下的易磁化方向为c轴。多晶奇点检测法（SPD）对各向异性的测量结果说A1对co的替代对co次晶格的各向异性影响很大，随AL含量的增加样品的磁晶各向异性场先升高而后降低，sm 2c 16Al和sm 2co 15Al 2在10-40m/s淬火速率下制备的快淬样品晶粒大小随带速变化不明显，约为50nm：矫顽力在10000oe左右。
64.sm2Fe 15-x M xGa 2C（m=cUNb）快淬材料的结构与磁性
- 张绍英;张宏伟
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文研究了sm 2Fe 15-x M xGa 2C（X≤2；M=cUNb）快淬带退火后的结构与磁性。实验结果表明，少量Cu的添加（X≤1）引起矫顽力的显著提高，最佳退火条件下获得的sm 2Fe 14cuGa2c样品的室温而力为2.2T。随cu含量的增加，其单胞体积和居里温度变化很小，而饱和磁化强度和各向异性场降低。Nb的添加有助于晶粒细化，随Nb含量的增加，其单胞体积，居里温度、饱和磁化强度和各向异性场均降低。
- sm2Fe 15-x M xGa 2C（m=cUNb）;
- 快淬材料;
65.HDDR合成各向同性Pr（Fe，Mo）12 N y化合物
- 金志强;章建荣
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：以HDDR工艺制备了各向同性的Pr（Fe，MO） 12N Y合物并系统地分析了氮化粉末的组成、微结构和磁性。低温脱氢形成亚稳的TbCu 7相，高温转变为Pr （Fe，Mo）12化合物。未经球磨的1：12氮化物的矫顽力为3.4 kOe。
66.Fe 3B基纳米晶复合永磁材料-Nd 4．5Fe 77B18.5
- 张宏伟;张绍英
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文通过快淬方法得到了Fe 3B基纳米复合永磁材料Nd 4sFe 77B18.5，并观测了其微结构与磁性，实验研究表明，经948k热处理后Nd4sFe 77B 18.5的晶粒尺寸约为20mn，矫顽力为3．5kOe相对剩磁m=M 1/Ms=0.76。通过对退磁曲线及回复曲线中可逆、不可逆成化部分的分析，得到了反磁化形核场H no为3.2koe。
- Fe 3B基纳米晶复合永磁材料;
- Nd 4．5Fe 77B18.5;
67.Fe 72.7Cu 1Nb 2V1.8Si13.5纳米晶合金磁导率随温度的变化
- 王治;何开元;张洛
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：研究了不同温度（530-620℃）退火后的Fe 727Cu 1Nb 2V 1.8Si 13.5B 9，纳米晶合金初始磁导率ui与温度T的关系（ui-T曲线）。实验结果表明，退火温度T a对ui～T曲线的形状有较大的影响，根据Ta可将ui～T曲线划分为三种类型时应的退火温度分别为（1）Ta=53O～550℃（2）Ta＝560～590℃（3）Ta≥600℃。
68.Ni 80Fe20/cu多层膜界面粗糙度对磁电阻的影响
- 姜宏伟;尹林
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：采用磁控溅对方法，在不同溅射气压下制备了具有巨磁电阻效应的Ni 20Fe20/cu金属多层膜。室温下，饱和磁电阻值随着Cu层厚叵的增加呈振荡变化，对应于溅射气压为0.25Pa的样品，在cu层厚度tcu＝10A、22A时，磁电阻出现两个峰值·磁电阻分别为194和11.6，溅射气压为0.45Pa的样品，磁电阻分别为11.2℅和1℅。采用同步辐射光源，在cuK吸收边能量位置（8.989KEV）对不同溅射气压下制备的多层膜样品做了X光小角衍射和漫散射实验，标定了界面粗糙度。结果表明多层膜界面的粗糙度对磁电阻有明显的影响。
69.电子束蒸发法制备的几种三明治结构中巨磁电阻效应研究
- 沈鸿烈;李铁
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文报导电子束蒸发法制备的几种三明治中的巨磁电阻效应，研究厂不同过渡层对三明治中巨磁电阻效应的影响以及改变磁牲层引起的效果。
70.Fe／si多层膜的层间耦合与磁电阻效应的研究
- 童六牛
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文报道在溅射的Fe/si多层膜中发现的较高负磁电阻效应，磁电阻比为目前国际最高值。并进而研究了电子输运性质与si层，及整个膜厚的依赖关系。研究结果表明，Fe／si多层膜中的层间耦合机制是与一般磁性金属/非磁金属系统的RKKY作用是一致的。引言：自从在Fe／Si多层膜中发现巨磁电阻效应以来，人们对各种多层膜系统都进行了广泛的研究。Inomata等人第一次报道了Fe/Si多层膜中的巨磁电阻效应，当Si层厚度不同时磁电阻效应存在两种不同的温度依赖性。并由此得出结论，Fe/si多层膜中的层间耦合是由窄带半导体Fe/si化合物中的局域态通过热激发导致的[1]。然而，Inomata等人发现的磁电阻比仅为0.1-0.15，曾有入怀疑如此小的磁电阻效应可能来源于Fe层中的磁化强度的混乱分布，而并非反铁磁耦合所致[2]。为了更好地理解Fe/si多层膜的层问耦合机制有必要更细致的研究。
71.磁性多层膜中磁层和界面及非磁层的穆斯堡尔谱
- 黄志高;蔡晃;赖恒
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
72.Ni 80 Co 20 （13A）／Cul 25 磁性金属超晶格中相变温度的振荡行为
- 潘风明;焦正宽
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：在10K到室温范围内，研究人员对[Ni80Co20（13A）/Cu/25金属超晶格的输运性质进行了测量。在电阻-温度曲线中，伴随电阻异常变化的相变交点被发现，这一相变温度随非磁中间层的厚度改变而呈现周期性振荡变化，其振荡周期与样品碰电阻的振荡周期一致。这种现象与磁性多层膜中的层间交换耦合相联系。
73.Co／Ti、co／Cu（Ni）纳米多层膜的层间耦合
- 姜恩永;吴萍
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：研究［co/Ti］30、[Co/Cu（Ni）]30两组多层膜的结构和磁性；发现以非晶Co和cu-Ni合金构成的Co/Cu（Ni）多层膜中饱和磁化强度Ms随非磁性层厚度ds的增加发生振荡变化；而以非晶Co和Ti构成的。Co/Ti多层膜中，Ms随ds的增加而减小，当ds>30A时，两组多层膜的饱和磁化强度均趋向稳定，可用磁性多层膜层间耦合效应予以解释。
- Co／Ti、co／Cu（Ni）纳米多层膜;
- 层间耦合;
74.基于铁磁共振的微波带阻滤波器
- 刘国磊;董国胜
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文报道利用半导体工艺技术制成可调谐的微波带阻滤波器的原四器件，介绍工作原理和工艺过程。并测量了微波传输特性。
- 铁磁共振;
- 微波带阻滤波器;
75.c。／Cu磁性多层膜的反常磁化特性
- 熊光英;庄惠照
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
- c。／Cu磁性多层膜;
- 反常磁化特性;
76.非晶FeNicrSiB软磁合金薄膜的巨磁阻抗效应
- 萧淑琴;刘宜华
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文研究了用射频溅射法制备的非晶FeNicrSiB软磁合金簿膜的巨磁阻抗效应。分别研究了溅态膜和迟火膜的纵向、横向和垂直膜面方向的阻抗随交流电流的频不及外加直流磁场的变化关系。在13MHZ得纵向磁阻抗比为38℅，横向磁阻抗比为40／。在11MHz，垂直于腹面的磁阻抗比为11℅。
- 非晶FeNicrSiB软磁合金薄膜;
- 巨磁阻抗效应;
77.Ni过渡层对Co/Cu/cu/Co明治膜巨磁电阻效应的影响
- 李铁;沈鸿烈
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
78.Fe x（In 2○ 3）1-X颗粒膜的巨磁电阻研究①
- 张连生;张林
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文研究了用射频溅射法制备的金属／半导体磁性颗粒膜Fe x（In 2 ○ 3）2-的电阻和磁电阻特性，特别是低温下二者的温度关系。发现在2K下，磁电阻比达-86℅，并用近藤（KondO）效应，对此做了解释。
- Fe x（In 2○ 3）1-X颗粒膜;
- 巨磁电阻;
79.Fe x（In 2○ 3）1-X颗粒膜磁性的研究
- 张林;张连生
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
- Fe x（In 2○ 3）1-X颗粒膜;
- 磁性;
80.铁、铜颗粒膜输运性质与温度关系研究
- 汪壮兵;葛洪良
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文介绍了用磁控溅射方法制备非晶铁铜颗粒膜，并首次在非晶纳米颗粒膜中发现了较大的负阻温特性，而且随着实验条件的变化有着负阻温特性向正阻温特性变过程，结合非晶态的Ziman理论给出了一定的定性解释。
81.Fe／［NiFe/Cu］30多层膜线列阵的巨磁电阻
- 孙勇;陈慧余
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
82.高性能铁磁性薄膜的电子能谱研究
- 于广华;朱逢吾
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：用X光电子能谱对磁控溅射法制备的铁磁性簿膜表面及以化深度进行了分析。
83.M1G 录像机磁头用FeSiAl 超厚膜
- 宋庆山;方光旦
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：报道了控制FeSiAl膜应力的几种有效方法，膜应力为10 7dyn/cm 2量级。20um、30um超厚FeSiAl膜，并制成了录像机磁头。
- 录像机磁头;
- FeSiAl 超厚膜;
84.Exchange Coupling in Dilute PtNiAlloy/Co Magnetic Multilayers
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
85.磁性薄膜的磁力显微镜研究
- 孙志刚;韩宝善
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文简要地介绍了磁力显微镜在磁性薄膜中的应用。
- 磁性薄膜;
- 磁力显微镜;
86.CoFe 2-xRe xO 4（Re＼Gd，Tb，Dy）纳米晶薄膜的化学合成及磁性研究
- 严纯华;程福祥
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文以溶胶凝胶法合成了稀上离子取代的钻尖晶石复合氧化物CoFe 2-xRe x o4（Re=YGdTbDY）纳米晶薄膜，研究了它们的表面形貌及磁特性。研究表明，当稀土离子掺杂量x≤0.3时可得到尖晶石单相；晶化温度低于770℃时，颗粒尺寸小于50nm，并形成磁单畴结构，具有较大的矫顽力；Y3+离子进入尖晶石晶格导致了矫顽力与饱和磁化强度的同时减小，而掺杂Gd3+、Tb3+或Dy3+离子可明显地增加矫顽力；该薄膜体系的磁性颗粒间存在负的磁相互作用。
87.呈矩形排列的四探针磁电阻测试仪
- 方光旦;刘镜周
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：通常用排列呈直线的四探针测量各向同性薄膜，但此方法不能直接用于测量具有各向异性的磁电阻簿膜，研究人员选择了呈矩形排列的四探针方案，研制了适合磁电阻薄膜测量的磁电阻测试仪，描述了仪器的组成并给出测试结果。
- 矩形排列;
- 四探针磁电阻测试仪;
88.纳米 Y相氧化铁磁粉的热稳定性和介电特性
- 叶锡生;林东生
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：籍助于差热分析（TG-DTA）X射线衍射（XRD）物相和晶粒及微结构分析，介电常数和介电损耗测试，对纳米Y相氧化铁磁粉的热稳定性及介电特性进行了较深入的实验研究，发现该材料热稳定性好于常规多晶，其向a相转变的明显高于常规材料，介电性能亦有大幅提高。对于上述实验结果，作者给出了初步的物理解释。
89.碳包铁钠米颗粒的穆斯堡尔研究
- 郑裕芳;张海燕
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
- 碳包铁钠米颗粒;
- 穆斯堡尔;
90.氮化铁超细磁粉的合成方法
- 于英仪;膝荣厚
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：使用氢气还原氮化法，以针状a-FeooH为原料制备了超细针状氮化铁磁粉。实验结果表明，氢气与氨气的比例是控制反应过程与生成产物的主要因素。
- 氮化铁超细磁粉;
- 合成方法;
91.实用型各向异性（AMR）读出头制作研究
- 夏洋;于广华
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
- 实用型各向异性（AMR）读出头;
92.Fe xMn1-x合金在GaAs（001）表面的分子束外延结构及其磁性的研究
- 敬超;吴义政
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：该文首次报道了对于不同铁锰比例的Fe xMn1-x合金在GaAs（001）表面上分子束外延的结构实验结果：当x=0.8时，则以单晶体心立方结构生长；当X=0.35时，则以单晶面心立方结构生长;对于x=0.5时FexMn1-x外延生长膜具有复杂的晶体结构而在这一铁锰比例下存在从铁磁性到反铁磁性的转变。
93.从电子结构看磁多层膜中巨磁阻效应的起源
- 汪仲诚;王少峰
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：通过计算磁三明治结构中的电导，研究人员发现铁磁层在平行和反平行排列时电子具有几乎完全相同的能级分布，但是对比这两套能级中具有相近能量的电子在垂直膜面方向的分布：平行排列时电子均匀地分布在南边的针磁层或金属隔层中，而反平行排列对不同自旋的电子却分布在其中一边的针磁层或金属隔层中。其结果造成两种排列相应的能级电子具有不同的弛豫时间，产生巨磁阻效应。
94.Tbe Effect of Interlayer Coupling on Magnetic Anisotropy inCo/Au multilayers
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
95.Fe／A1 2O3 /Fe隧道结中AL 2O 3层的俄歇谱研究
- 陈浩;徐庆宇
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：采用离子束溅对方法制备了Fe/Al2O3/Fe系列隧道结样品（其中一层Fe膜的溅射温度为250℃，另一层Fe，膜的溅射温度为室温，中间氧化层采用Al膜自的氧化的方法制备），测量了样品的伏安特性和磁电阻效应，观察到了数值为5．89℅的磁电阻效应，并采用俄歇电子谱方法对氧化层的氧化情况对样品磁电性质的影响进行了研究。
96.溅射Go-Ag颗粒膜的磁光克尔效应
- 杨渭;章建荣;蒋正生
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
摘要：用直流离子束共溅射技术溅射co-ag复合靶，制备了一系列CO含量不同的颗粒膜，薄膜厚度约为400nm含Co的体积比从0.03到0.84。在室温下，Co-Ag颗粒膜的板克尔角k的磁光谱被测量，测量的波长范围从400nm到850nm。当外磁场大小为1.0T并且方向垂直于膜面时，得到最大的克尔角为0.28。研究人员的结果显于在颗粒膜极克旋转中，钴颗粒的浓度和微结构起重要作用。
- 溅射Go-Ag颗粒膜;
- 磁光克尔效应;
97.磁性co 6 Ag94颗粒膜的磁光Kerr增强效应研究
- 王松有;郑卫民
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
98.B位替代（La2／3Ca/3）（Mn(3-x)/3Dx/3）O 3（D＝Ga，A1，Fe等）体系巨磁电阻效应的研究*
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
99.coxCu1-x颗粒膜的磁光性质研究
- 王松有
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
- coxCu1-x颗粒膜;
100.磁性co6Ag94颗粒膜的磁光性质研究
- 王松有
- 《中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议》 | 1998年
- 磁性co6Ag94颗粒膜;