高压SOI器件介质场增强

摘要

提高纵向耐压是研究绝缘体上的硅(Silicon-on-insnlator,简称SOI)高压器件之瓶颈,经过多年研究,总结出了SOI高压器件介质场增强(Enhanced Dielectric Layer Field,简称ENDIF)理论与技术,通过增强介质埋层电场来提高击穿电压.给出增强介质埋层电场的3项技术,即在埋层上界面引入电荷、降低埋层介电系数、采用超薄顶层硅.基于ENDIF,提出了一系列SOI高压器件结构,即电荷型SOI高压器件、低k和变k埋层SOI高压器件、薄硅层阶梯漂移区SOI高压器件,建立了相应的耐压模型,并研制出大于700V的双面电荷槽SOI横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,简称LDMOS).