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张贺秋; 许铭真; 谭长华;
北京大学微电子研究院;
FN隧穿; MOSFET; 软击穿; 超薄;
机译:器件尺寸对超薄栅氧化物击穿后特性的影响
机译:超薄栅氧化物的硬击穿和软击穿失败的物理分析
机译:超薄栅氧化物软击穿渗流电流的统计分布
机译:从氧化物击穿到器件故障:超薄栅氧化物的击穿后现象概述
机译:研究氧化物击穿,热载流子和NBTI对MOS器件和电路可靠性的影响。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:超薄siO2和siON栅介质材料中陷阱产生和电击穿的物理特性
机译:具有快速生长的超薄siO2栅极绝缘体的mOs(金属氧化物半导体)器件的界面和击穿特性。
机译:用于双栅CMOS器件的氮注入超薄栅氧化物的形成方法
机译:半导体器件,能够改善击穿特性并保持绝缘栅双极晶体管的开关特性和低耐压性
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