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NFET器件; 超薄栅氧化; 氧化击穿; 电荷测量; 可靠性;
机译:器件尺寸对超薄栅氧化物击穿后特性的影响
机译:极性相关的热化学E模型,用于描述具有超薄栅极电介质的金属氧化物半导体器件中随时间变化的电介质击穿
机译:高K栅堆叠的介电击穿与超薄氧化物的逐步击穿之间有很强的类比
机译:NFET器件的极性依赖性氧化物击穿,用于超薄栅极氧化物
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:具有金纳米粒子的氧化石墨烯器件中的非极性和互补电阻切换特性:器件制造的多种方法
机译:亚纳米等效氧化物厚度的高级高k栅介电非晶LaGdO3栅金属氧化物半导体器件
机译:具有快速生长的超薄siO2栅极绝缘体的mOs(金属氧化物半导体)器件的界面和击穿特性。
机译:用于双栅CMOS器件的氮注入超薄栅氧化物的形成方法
机译:非极性有机溶剂界面上的金属氧化物纳米板的制备方法及利用其获得超薄层状金属氧化物的金属氧化物纳米板的制备方法
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