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超薄栅氧化; nMOSFET; 低倒置层密度; 击穿软化;
机译:CVDT和SHE应力下超薄栅氧化物NMOSFET的退化
机译:空穴在倒置nMOSFET中的氧化物击穿机理中的作用
机译:低栅极电压应力下具有超薄栅极氧化物的90 nm栅极长度LDD- NMOSFET的热载流子退化
机译:低反转层密度下超薄栅极氧化物nMOSFET击穿的软化
机译:苯乙烯均聚以及乙烯与苯乙烯共聚单体共聚中的双金属作用。使用负载型茂金属的高能量存储密度金属氧化物-聚烯烃纳米复合材料的范围,动力学和机理/催化原位合成。纳米粒子,形状和界面特性对漏电流密度,介电常数和击穿强度的影响
机译:具有超薄通道层的高性能顶栅薄膜晶体管
机译:栅氧化层击穿对深亚微米NmOsFET射频噪声的影响
机译:具有快速生长的超薄siO2栅极绝缘体的mOs(金属氧化物半导体)器件的界面和击穿特性。
机译:超薄SOI垂直双极晶体管,具有倒置集电极的薄氧化层(盒),用于低基体偏置操作及其方法
机译:使用单个晶体管并具有可变栅氧化层击穿的高密度半导体存储单元和存储阵列
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