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陈娟娟; 徐静平; 陈卫兵;
华中科技大学电子科学与技术系;
湖南工业大学计算机与通信学院;
Ge-pMOSFET; 高k栅介质; 超薄栅介质; 亚阈斜率;
机译:HfSi_xO_y界面层效应对改善超薄高K TiO_2栅介质的电特性的影响
机译:脉冲激光沉积制备高k栅介质超薄ZrO_2薄膜的结构和介电性能
机译:串联电阻对具有超薄EOT高k /金属栅叠层的MOSCAP的零时电介质击穿特性的影响
机译:在反转模式的低应力电压下,在P {SUP} +栅极 - PMOSFET中的超薄SiO期电栅电孔中的超薄SiO期电介质的驱动 - 驱动的{sub}(ox)/ e}(ox)驱动
机译:通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程:材料问题和电性能。
机译:超薄Hf-Ti-O高k栅介电薄膜的电学特性及其在ETSOI MOSFET中的应用
机译:Ti对超薄高κLaTiON栅介质锗金属氧化物半导体电容器电性能的影响
机译:含有和不含超导栅电极的砷化铝镓/砷化镓高电迁移率晶体管噪声性能的比较研究
机译:在MOSFET的高k /氧化物堆叠栅电介质中形成超薄基础氧化物的方法
机译:具有良好界面特性的超薄高K栅极电介质,可改善半导体器件的性能
机译:高K栅介电层等离子体处理以调节阈值电压特性
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