退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
刘汝萍; 夏冠群; 赵建龙; 翁建华; 张美圣; 郝幼申;
中国科学院上海冶金研究所一室;
MESFET; 背栅效应; 砷化镓; 半绝缘;
机译:半绝缘GaAs衬底中GaAs MESFET的侧向效应和漏电流
机译:通过MOCVD原位制备带有GaAs栅绝缘体的GaAs基金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:倍半硅氧烷栅绝缘子的聚(3-己基噻吩)基场效应晶体管的制备与表征
机译:通过在背栅电极处进行电荷限制来降低GaAs MESFET中的后台效应
机译:聚乙烯/多面体低聚倍半硅氧烷复合材料:高压电力电缆的电绝缘=聚乙烯基与多面体低聚硅倍半氧烷添加剂的复合材料:电力电缆的电绝缘
机译:基于MoS2纳米圆盘的背栅场效应晶体管的制备和电性能
机译:冲击电离效应对Gaas mEsFET中栅 - 滞现象的数值模拟
机译:新型mBE(分子束外延)缓冲器用于消除Gaas mEsFET中的背栅
机译:掺Si的GaAs单晶晶片及其制备方法,以及由所述掺Si的GaAs单晶晶片生产的掺Si的GaAs单晶晶片
机译:等温步骤快速退火制备耐热自对准栅GaAs MESFET
机译:砷化镓产品的制造方法,装置以及半绝缘半绝缘GaAs单晶和半绝缘GaAs单晶
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。