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吴巨; 何宏家; 范缇文; 王占国; 张绵;
中国科学院半导体研究所;
石家庄电子部十三所;
砷化镓; 衬底; 位错; MESFETs; 旁栅效应;
机译:半绝缘GaAs衬底中GaAs MESFET的侧向效应和漏电流
机译:MBE生长的GaAs外延层中的激光散射缺陷与半绝缘衬底中的位错有关
机译:在半绝缘衬底中制造的GaAs MESFET中的电荷收集
机译:半绝缘衬底对GaAs MESFET中扭结现象的影响
机译:Portevin-LeChâtelier效应中的集体位错效应和位错成核导致塑性不稳定性
机译:具有周期性90°错配位错界面阵列的GaAs衬底上生长的高弛豫GaSb的结构分析
机译:有源层–半绝缘衬底界面对GaAs MESFET组件的影响
机译:载流子注入到mEsFET衬底中的影响:mEsFET在半绝缘缓冲器,p衬底上的mEsFET和无衬底mEsFET上的比较
机译:砷化镓产品的制造方法,装置以及半绝缘半绝缘GaAs单晶和半绝缘GaAs单晶
机译:半绝缘GaAs衬底和外延衬底
机译:在同质外延生长过程中螺钉位错的横向运动和由此产生的装置不受螺钉位错的有害影响
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