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北京师范大学量子力学小组;
北京师范大学物理系离子注入组;
氧离子; EHMO; 原子簇; 施主能级; 半导体材料; 受主能级; 砷化镓; 中心原子; 砷空位; 定域能级;
机译:运输中硅,砷化镓,砷化铟镓热载流子和半导体的GaN亚微米结构与辐射缺陷纳米尺寸簇
机译:在 载流子迁移 的 补偿 砷化镓 测定
机译:砷化镓离子注入过程中的电导率机理
机译:砷化镓中的氧离子注入通道光波导
机译:1.3微米氮化铟镓砷化镓/磷化砷化镓/砷化镓激光二极管的载流子动力学和增益。
机译:砷化镓砷酸镓合金的禁带抗穿越模型
机译:砷化镓铟/铝铟砷化物和砷化镓铝铟砷/铝铟砷化物MQW器件在1.3μm的室温载流子寿命和光学非线性
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录a.高性能砷化镓掩模可编程功能和逻辑阵列的可行性分析
机译:砷化镓或磷化镓的气相色谱法从气相中去除砷化镓或磷化镓的方法
机译:在半绝缘砷化镓衬底中制造的离子注入砷化镓半导体器件
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